Terasawa D. について
Department of physics, Hyogo College of Medicine, Nishinomiya 663-8501, Japan について
Fukuda A. について
Department of physics, Hyogo College of Medicine, Nishinomiya 663-8501, Japan について
Fujimoto A. について
Applied Physics, Faculty of Engineering, Osaka Institute of Technology, Osaka 535-8585, Japan について
Ohno Y. について
Graduate School of Science and Technology, Tokushima University, Tokushima 770-8501, Japan について
Matsumoto K. について
The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Ibaraki 567-0047, Japan について
Solid State Communications について
電気抵抗率 について
単分子層 について
デフェージング について
温度依存性 について
非弾性散乱 について
グラフェン について
電圧依存性 について
局在化 について
単層グラフェン について
コンダクタンス揺らぎ について
量子干渉 について
普遍コンダクタンスゆらぎ について
弱局在 について
Aグラフェン について
D量子干渉 について
D普遍コンダクタンスゆらぎ について
D弱い局在化 について
その他の無機化合物の電気伝導 について
非晶質・液体半導体の電気伝導 について
酸化物系超伝導体の物性 について
グラフェン について
弱い局在 について
開発 について
普遍コンダクタンスゆらぎ について
温度依存性 について