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J-GLOBAL ID：201702263982042379   整理番号：17A1705984

グラフェンにおける弱い局在化の開発による普遍コンダクタンスゆらぎの温度依存性【Powered by NICT】

Temperature dependence of universal conductance fluctuation due to development of weak localization in graphene

著者 (5件)： Terasawa D. (Department of physics, Hyogo College of Medicine, Nishinomiya 663-8501, Japan) ,  Fukuda A. (Department of physics, Hyogo College of Medicine, Nishinomiya 663-8501, Japan) ,  Fujimoto A. (Applied Physics, Faculty of Engineering, Osaka Institute of Technology, Osaka 535-8585, Japan) ,  Ohno Y. (Graduate School of Science and Technology, Tokushima University, Tokushima 770-8501, Japan) ,  Matsumoto K. (The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University, Ibaraki 567-0047, Japan)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 267  ページ： 14-17  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 抵抗率に及ぼす量子干渉の温度効果は,単分子層グラフェンで調べ,実験結果コンダクタンスゆらぎの振幅は温度の減少と共に増加することを示した。はこの挙動は非弾性散乱(デフェージング)速度が減少し,これは抵抗率への弱局在(WL)補正を増強するに帰することができることを見出した。普遍コンダクタンスゆらぎ(UCF)とゲート電圧依存性(Terasawa.,2017)に関するWL[19]の間の関係を説明することを前報に続き,著者らは単層グラフェン中のUCFの温度依存性はWL理論によって解釈できることを提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  単分子層 ,  デフェージング ,  *温度依存性 ,  非弾性散乱 ,  *グラフェン ,  電圧依存性
準シソーラス用語： *局在化 ,  単層グラフェン ,  *コンダクタンス揺らぎ ,  量子干渉 ,  *普遍コンダクタンスゆらぎ ,  *弱局在 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Aグラフェン ,  D量子干渉 ,  D普遍コンダクタンスゆらぎ ,  D弱い局在化

分類 (3件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G) ,  酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (5件)： グラフェン ,  弱い局在 ,  開発 ,  普遍コンダクタンスゆらぎ ,  温度依存性