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J-GLOBAL ID：201702264009186288   整理番号：17A1696463

塗布型拡散剤を用いたnm対応コンフォーマルドーピング技術

著者 (6件)： 木下哲郎 (東京応化工業) ,  真下峻一 (東京応化工業) ,  大橋卓矢 (東京応化工業) ,  澤田佳宏 (東京応化工業) ,  木下洋平 (東京応化工業) ,  藤村悟史 (東京応化工業)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 260(SDM2017 50-60)  ページ： 21-24  発行年： 2017年10月18日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 基板種によらないウェハ上の立体構造に対してコンフォーマルに,数ナノメートル膜厚の被膜を形成できる塗布材料を開発した。本研究では種々のドーパント元素導入を試みており,立体構造に対するコンフォーマルドーピングが実現されたこと,プロセス条件の調整で拡散濃度及び深さの制御が可能であることを報告する。本技術はFinFET構造やイメージセンサーのDTI構造などの様々な立体構造に対する不純物のコンフォーマルドーピングへの適用が期待できる。(著者抄録)

シソーラス用語： 塗布 ,  塗布剤 ,  *ドーピング ,  *ウエハ【IC】 ,  ドーパント ,  イメージセンサ ,  立体構造 ,  *物質 ,  *拡散
準シソーラス用語： *拡散剤

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (7件)：

• T. Noda et.al.,′′Analysis of Dopant Diffusion and Defects in Fin structure using an Atomistic Kinetic Monte Carlo Approach′′, IEDM5.7, pp.140-143 (2013)
• K.-W. Ang et.al, ′′300mm FinFET Results Utilizing Conformal, Damage Free, Ultra Shallow Junctions (Xj~5nm) Formed with Molecular Monolayer Doping Technique′′, IEDM, pp.837-840 (2011)
• Y. Sasaki et. al, ′′Novel Junction Design for NMOS Si Bulk-FinFETs with Extension Doping by PEALD Phosphorus Doped Silicate Glass′′, IEDM, pp.596-599 (2015)
• S. Fujikawa et. al., ′′Fabrication of Arrays of Sub-20nm Silica Wall via Photolithography and Solution-Based Molecular Coating′′ Langmuir, pp.9057-9061 (2006)
• T.Aoyama et.al, ′′Multi-Functional Annealing Using Flexibly - Shaped-Pulse Flash lamp Annealing (FSP-FLA) for High-k/ Metal Gated CMOS Devices′′, IWJT, pp.110-115 (2009)

タイトルに関連する用語 (1件)： 拡散