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J-GLOBAL ID：201702265094398317   整理番号：17A0381545

バルク4H-SiCからの複合体と放出された構造のためのハイスループットパルスレーザ製造エッチプロセス【Powered by NICT】

High-throughput pulsed laser manufacturing etch process for complex and released structures from bulk 4H-SiC

著者 (5件)： Ransom Elliot H. (Stanford University, Stanford, California, USA) ,  Dowling Karen M. (Stanford University, Stanford, California, USA) ,  Rocca-Bejar Daniela (Florida International University, Miami, Florida, USA) ,  Palko James W. (Stanford University, Stanford, California, USA) ,  Senesky Debbie G. (Stanford University, Stanford, California, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MEMS  ページ： 671-674  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスネオジムドープイットリウムオルソバナジウム(Nd/YVO_4)レーザを用いたバルク炭化けい素(4H SiC)からの,複雑で放出された構造の製造のための一段階プロセスの実装を記述する。プロセスはパルスレーザ(1 kW)を用いる4H-SiC基板におけるクロスハッチパターンの線刻,バルク材料から直接エッチング特徴。プロセスの効果的なエッチ速度と結果としての表面粗さはレーザ,スクライブレーザ線間隔,レーザ通過数のスクライブ速度に関して特性化した。最後に,バルク4H-SiCから製造した迅速(15分)である遊星歯車集合。説明した手法は深い反応性イオンエッチング(DRIE)などの高価な製造技術の代わりに金型レベルでSiC微細構造を製造する安価かつ効率的に向かう1ステップである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 生産技術 ,  炭化ケイ素 ,  キャラクタリゼーション ,  微細構造 ,  *パルスレーザ ,  遊星歯車 ,  複合体 ,  エッチング ,  RIE【エッチング】 ,  *レーザ
準シソーラス用語： 低価格 ,  エッチング速度 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： バルク ,  4H-SiC ,  複合体 ,  放出 ,  エッチ ,  プロセス