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J-GLOBAL ID：201702265383476088   整理番号：17A1251245

HfO2の原子層堆積によるHfS2トランジスタの性能改善【Powered by NICT】

Performance Improvement of HfS2 Transistors by Atomic Layer Deposition of HfO2

著者 (7件)： Kanazawa Toru (Tokyo Institute of Technology, Meguro, Japan) ,  Amemiya Tomohiro (Tokyo Institute of Technology, Meguro, Japan) ,  Upadhyaya Vikrant (Tokyo Institute of Technology, Meguro, Japan) ,  Ishikawa Atsushi (Okayama University, Okayama, Japan) ,  Tsuruta Kenji (Okayama University, Okayama, Japan) ,  Tanaka Takuo (RIKEN, Wako, Japan) ,  Miyamoto Yasuyuki (Tokyo Institute of Technology, Meguro, Japan)
資料名： IEEE Transactions on Nanotechnology  (IEEE Transactions on Nanotechnology)
巻： 16  号： 4  ページ： 582-587  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1355A  ISSN： 1536-125X  CODEN： ITNECU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジスルフィドハフニウム(HfS_2)は,高い電子移動度と有限バンドギャップを持つと期待されている遷移金属二カルコゲン化物の一つである。HfS_2ベース電子デバイスの作製プロセスは確立されていない,HfS_2の優れた輸送特性を引き出すために必要である。本報告では,HfS_2トランジスタの電流特性上に原子層堆積したHfO_2不動態化の効果を調べた。HfS_2表面のHfO_2不動態化は,ドレイン電流を増強し,ヒステリシスを有意に減少させた。HfO_2不動態化は,より高いアニーリング温度の使用とドレイン電流の更なる改善を可能にした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  ヒステリシス ,  バンドギャップ ,  電流 ,  不動態化 ,  *トランジスタ ,  アニーリング温度 ,  電子素子 ,  電子移動度 ,  改変
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  輸送特性 ,  *ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： HfO2 ,  原子層堆積 ,  トランジスタ ,  性能改善