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J-GLOBAL ID：201702267047544183   整理番号：17A0390101

表面がナノ結晶化したInドープのZnSb薄膜の熱電特性の改善

Enhanced Thermoelectric Properties of In-Doped ZnSb Thin Film with Surface Nanocrystallization

著者 (8件)： ZHENG Zhuang-hao (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN) ,  ZHENG Zhuang-hao (Shenzhen Key Lab. of Sensor Technol., Shenzhen, CHN) ,  FAN Ping (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN) ,  LUO Jing-ting (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN) ,  LUO Jing-ting (Shenzhen Key Lab. of Sensor Technol., Shenzhen, CHN) ,  LIANG Guang-xing (Shenzhen Univ., Shenzhen, CHN) ,  LIANG Guang-xing (Shenzhen Key Lab. of Sensor Technol., Shenzhen, CHN) ,  LIANG Guang-xing (Univ. Rennes 1, Rennes, FRA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 2  ページ： 1319-1323  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnSb化合物は有望なp型熱電材料である。多くの熱電材料の熱電特性は,Inのドープによってキャリアの有効質量を上げ,熱電特性を改善できる。本稿では,InをドープしたZnSb合金をターゲットとして使用する代わりに,InターゲットとZnSbターゲットを用いたマルチステップのコスパッタリング法によってInをドープしたZnSb薄膜を作製した。Inのスパッタ時間を調整することによって,In成分の制御が可能になった。適切なレベルにInをドープした薄膜は,表面が明らかにナノ結晶化した。ドープ後の表面ナノ構造に起因するフォノン散乱の増加によって,Seebeck係数が増加すると同時に熱伝導率が減少した。これらの結果の組み合わせによって,Inドープ後の薄膜のZT値は0.19となり,ドープのない薄膜の約6倍に増大できた。

シソーラス用語： 結晶化 ,  *インジウム添加合金 ,  *アンチモン化物 ,  *亜鉛化合物 ,  蒸着 ,  スパッタ蒸着 ,  電気特性
準シソーラス用語： ナノ結晶化 ,  *In添加合金 ,  *アンチモン化亜鉛 ,  薄膜蒸着 ,  スパッタリング蒸着 ,  熱電特性

分類 (2件)： 電気的性質  (WB02010Y) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ結晶化 ,  ドープ ,  薄膜 ,  熱電特性