文献

J-GLOBAL ID：201702267180300569   整理番号：17A1802769

グラフェンとSiO₂/Si基板間に形成される界面水の影響

Effect of interfacial water formed between graphene and SiO₂/Si substrate

著者 (7件)： KOYAMA Tomohiro (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  INABA Takumi (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  KOMATSU Katsuyoshi (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  KOMATSU Katsuyoshi (Tokyo Inst. of Technol., Yokohama, JPN) ,  MORIYAMA Satoshi (National Inst. for Materials Sci. (NIMS), Ibaraki, JPN) ,  SHIMIZU Maki (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN) ,  HOMMA Yoshikazu (Tokyo Univ. Sci., Tokyo, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 7  ページ： 075102.1-075102.3  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 環境空気中のグラフェンと基板表面との間には,界面水が存在し得る。グラフェンの電気的特性に対する水の影響は複雑であり,基板材料に依存する。ラマンスペクトルに基づいてグラフェンとSiO₂/Si基板との間に形成される界面水の影響を調べた。界面水の影響は,SiO₂表面の親水性によって影響された。界面水はグラフェンとSiO₂の間の電荷移動を抑制したが,親水性の高いSiO₂表面上に整列した水分子の双極子モーメントのためにグラフェンにホールドーピングを誘発した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *空気 ,  *グラフェン ,  二酸化ケイ素 ,  基板 ,  ケイ素 ,  ドーピング ,  正孔 ,  Ramanスペクトル ,  *水分子 ,  基 ,  シラノール ,  効果 ,  疎水性相互作用 ,  周囲空気 ,  シラノール基 ,  正孔ドーピング
準シソーラス用語： ホールドーピング ,  疎水性効果

分類 (3件)： 無機化合物の赤外・Ramanスペクトル(分子)  (BH06032B) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

引用文献 (19件)：

• K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S. V. Dubonos, I. V. Grigorieva, and A. A. Firsov, Science 306, 666 (2004).
• A. K. Geim and K. S. Novoselov, Nat. Mater. 6, 183 (2007).
• K. S. Novoselov, A. K. Geim, S. V. Morozov, D. Jiang, M. I. Katsnelson, I. V. Grigorieva, S. V. Dubonos, and A. A. Firsov, Nature 438, 197 (2005).
• Y. Zhang, Y.-W. Tan, H. L. Stormer, and P. Kim, Nature 438, 201 (2005).
• J. Jobst, D. Waldmann, F. Speck, R. Hirner, D. K. Maude, T. Seyller, and H. B. Weber, Phys. Rev. B 81, 195434 (2010).

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  SiO2 ,  Si基板 ,  界面