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J-GLOBAL ID：201702267207514661   整理番号：17A1125359

C-V測定を用いたNbドープZnO薄膜トランジスタの状態のサブバンドギャップ密度の抽出【Powered by NICT】

Extraction of the sub-band gap density of states of Nb doped ZnO thin film transistors using C-V measurements

著者 (6件)： Shaw A. (Department of Electrical Engineering and Electronic, University of Liverpool, L69 3GJ, United Kingdom) ,  Jin J.D. (Department of Electrical Engineering and Electronic, University of Liverpool, L69 3GJ, United Kingdom) ,  Mitrovic I.Z. (Department of Electrical Engineering and Electronic, University of Liverpool, L69 3GJ, United Kingdom) ,  Hall S. (Department of Electrical Engineering and Electronic, University of Liverpool, L69 3GJ, United Kingdom) ,  Wrench J.S. (Centre for Advanced Materials, University of Liverpool, L69 3GH, United Kingdom) ,  Chalker P.R. (Centre for Advanced Materials, University of Liverpool, L69 3GH, United Kingdom)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 178  ページ： 213-216  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NbをドープしたZnO薄膜トランジスタの状態密度(DOS)のサブバンドギャップ密度はマルチ周波数容量 電圧(C V)法を用いて抽出した。結果は,二項指数関数的DOSに代表される,バンドテイルと深い状態を表すことができる。尾部準位と深い状態のためのパラメータは,それぞれN-=1.6×10~19cm~ 3T=540K,N_=6.5×10~16cm~ 3とT=4058Kであった。さらに,C-VからDOSは電流-電圧特性と良い一致を提供する,多重トラップとレリースモデルを用いた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧 ,  *薄膜トランジスタ ,  *ニオブ ,  多重化 ,  指数関数 ,  *ドーピング ,  モデル ,  状態密度 ,  電流 ,  *酸化亜鉛
準シソーラス用語： *サブバンド ,  電圧プロフィル ,  多重周波数 ,  *サブバンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： C-V測定 ,  ギャップ状態密度のサブバンド ,  ニオブドープZnO ,  薄膜トランジスタ ,  多重トラップと放出モデル

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： Nb ,  ドープ ,  ZnO薄膜 ,  トランジスタ ,  サブバンドギャップ ,  密度