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J-GLOBAL ID：201702267233166328   整理番号：17A1485631

マグネトロンスパッタリング法で合成したAlN薄膜の残留応力の低減【Powered by NICT】

Reduction of residual stress in AlN thin films synthesized by magnetron sputtering technique

著者 (8件)： Panda Padmalochan (Material Science Group, Indira Gandhi Center for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam, 602103, India) ,  Ramaseshan R. (Material Science Group, Indira Gandhi Center for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam, 602103, India) ,  Ravi N. (Center for Engineered Coatings, ARCI, Hyderabad, 500005, India) ,  Mangamma G. (Material Science Group, Indira Gandhi Center for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam, 602103, India) ,  Jose Feby (Material Science Group, Indira Gandhi Center for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam, 602103, India) ,  Dash S. (Material Science Group, Indira Gandhi Center for Atomic Research, HBNI, Kalpakkam, 602103, India) ,  Suzuki K. (Extreme Energy Density Research Institute, Nagaoka University of Technology, Nagaoka, Japan) ,  Suematsu H. (Extreme Energy Density Research Institute, Nagaoka University of Technology, Nagaoka, Japan)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 200  ページ： 78-84  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板温度(T s , 35 600 °C)の関数としてのマグネトロンスパッタしたAlN薄膜の残留応力,結晶構造,表面形態およびナノ機械的特性の低下を報告した。これらの膜の残留応力を温度(T s),si2ψ法により計算した引張から圧縮に変化した。AlN膜の結晶成長の進化はGIXRDと透過型電子顕微鏡(TEM)により研究した,400°Cで優先a軸配向が観察された。これら膜の断面TEM顕微鏡写真と選択領域電子回折(SAED)は,高い配向度と同様に柱状構造を示した。硬度(H)はこれらの膜12.8と19GPaの間の範囲のナノインデンテーション法で測定した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *薄膜 ,  制限視野回折 ,  ナノインデンテーション ,  透過型電子顕微鏡 ,  *残留応力 ,  機械的性質 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  顕微鏡写真 ,  基板温度 ,  *窒化アルミニウム ,  結晶構造 ,  硬度 ,  結晶成長
準シソーラス用語： 柱状構造 ,  表面形態 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 薄膜 ,  スパッタリング ,  GIXRD ,  TEM ,  Hardness

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (4件)： マグネトロンスパッタリング ,  AlN ,  薄膜 ,  残留応力