文献

J-GLOBAL ID：201702267530487115   整理番号：17A1365116

幅広InGaAs井戸2層2次元電子ガスにおける量子ホール効果

著者 (6件)： 山田省二 (大阪工大) ,  藤元章 (大阪工大) ,  日高志郎 (大阪大 低温セ) ,  赤堀誠志 (北陸先端科学技術大学院大) ,  今中康貴 (物質・材料研究機構) ,  竹端寛治 (物質・材料研究機構)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 72  号： 2  ページ： ROMBUNNO.23aB31-2  発行年： 2017年09月25日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 二次元電子ガス ,  化合物半導体 ,  *量子井戸 ,  *ヒ化物 ,  *ガリウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  多層膜 ,  *分数量子Hall効果
準シソーラス用語： 二層構造

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 幅広 ,  InGaAs ,  井戸 ,  2層 ,  2次元電子ガス ,  量子ホール効果