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J-GLOBAL ID：201702268544852881   整理番号：17A0617111

FIB-SEMの使用による石英テンプレートに封入されたビスマスナノワイヤ上のナノスケール電気接点の作製

Fabrication of a Nanoscale Electrical Contact on a Bismuth Nanowire Encapsulated in a Quartz Template by Using FIB-SEM

著者 (4件)： MURATA Masayuki (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  YAMAMOTO Atsushi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol.(AIST), Ibaraki, JPN) ,  HASEGAWA Yasuhiro (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  KOMINE Takashi (Ibaraki Univ., Ibaraki, JPN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 5  ページ： 2782-2789  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直径数百nmのBiナノワイヤの両端にOhm接触を得る方法は既に開発されている。しかしながら,直径300nm未満のBiナノワイヤ上に適切な電極を得ることは困難であった。この研究では,デュアルビーム装置を用い,石英テンプレートに封入された直径110nmのBiナノワイヤ上での電極の作製を確立した。まず,微小直径ナノワイヤに良好な電気的接触を確立できない理由を解明するため,集束イオンビーム走査電子顕微鏡(FIB-SEM)を用いて,Ti/Cu電極とナノワイヤ端部の界面の縦断面を観察した。ナノワイヤ端部とチタン薄膜の間に,電気接触不良の原因となる可能性を示す空いた領域を観測した。次に,電子ビームを用いたナノスケールのタングステン堆積によって,ナノワイヤの露出領域とテンプレート表面のTi/Cu薄膜とを接続した。電極間の電流電圧特性を測定し,適切なオーミック接触を確認した。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  *ビスマス ,  *Ohm接触 ,  集束イオンビーム ,  *微小電極 ,  タングステン ,  チタン ,  銅 ,  電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： 走査電子顕微鏡観察

分類 (1件)： 電気材料一般  (NA04010A)

タイトルに関連する用語 (8件)： 石英 ,  テンプレート ,  封入 ,  ビスマス ,  ナノワイヤ ,  ナノスケール ,  電気接点 ,  作製