文献

J-GLOBAL ID：201702268599154505   整理番号：17A0132691

通常のプラズマエッチング装置に近い装置での原子層エッチング

Atomic layer etching in close-to-conventional plasma etch tools

著者 (2件)： Goodyear Andy (Oxford Instruments Plasma Technology, North End, Yatton, Bristol BS49 4AP, United Kingdom) ,  Cooke Mike (Oxford Instruments Plasma Technology, North End, Yatton, Bristol BS49 4AP, United Kingdom)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 35  号： 1  ページ： 01A105-01A105-4  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマを利用した原子層エッチングは,ガスの供給と表面照射の循環的エッチング(物質を一層毎に取り除く)プロセスであり,単一の原子層を取り除く能力を有する。この方式の処理をするために,通常のプラズマエッチング装置を如何に改造するかを検討し,塩素/アルゴンプラズマを用いたシリコンエッチングについて結果を得た。イオン照射エネルギーとガス供給量との正確な制御の必要性に焦点を当てた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマエッチング ,  *塩素 ,  *アルゴン ,  *混合気体 ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  イオン照射 ,  制御 ,  供給 ,  エネルギー
準シソーラス用語： ガス供給 ,  *原子層エッチング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： プラズマ ,  エッチング装置 ,  原子層エッチング