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J-GLOBAL ID：201702269253493757   整理番号：17A0968226

多層3D MMIC技術を用いたGaAsベースpHEMTの製造前および製造後デバイス考察と特性評価

Device considerations and characterizations of pre and post fabricated GaAs based pHEMTs using multilayer 3D MMIC technology

著者 (6件)： ALIM Mohammad A (Univ. Chittagong, BGD) ,  ALI Mayahsa M (Univ. Information Technol. and Communications, Baghdad, IRQ) ,  HARIS Norshakila (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  HARIS Norshakila (Universiti Kuala Lumpur, Perak, MYS) ,  KYABAGGU Peter B K (Univ. Manchester, Manchester, GBR) ,  REZAZADEH Ali A (Univ. Manchester, Manchester, GBR)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 32  号： 5  ページ： 055003,1-9  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 多層構造 ,  三次元 ,  *MMIC ,  *ヒ化ガリウム ,  *HEMT ,  製造 ,  特性 ,  キャラクタリゼーション ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  素子構造 ,  容量電圧特性 ,  電流電圧特性 ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  多層
準シソーラス用語： *PHEMT ,  デバイス特性 ,  二重ヘテロ接合 ,  半導体デバイス製造

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多層 ,  3D ,  MMIC ,  GaAs ,  PHEMT ,  特性評価