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J-GLOBAL ID：201702269368695787   整理番号：17A1420483

PINダイオード制限増幅システムの熱バーンアウト効果に関するマイクロ波パルス幅の影響【Powered by NICT】

The influence of microwave pulse width on the thermal burnout effect of a PIN diode limiting-amplifying system

著者 (2件)： Yi Shipeng (State Key Laboratory on Microwave and Digital Communications, Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China) ,  Du Zhengwei (State Key Laboratory on Microwave and Digital Communications, Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 75  ページ： 102-109  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： PINダイオード制限増幅システムの熱バーンアウト効果に及ぼすマイクロ波パルス幅の影響を解析した。理論的解析とシミュレーションに基づいて,PINダイオードリミッタとPINダイオード制限増幅システムのバーンアウト効果の関係を得た。吸収効率因子を採用することにより,マイクロ波パルス幅の間の関係とPINダイオード制限増幅システムのためのバーンアウトパワーしきい値の理論的モデルを得た。提案した理論式は,一定係数,シミュレーションや実験コストを大幅に低減できるを適合させるために少なくとも二組のシミュレーションや測定結果を用いて決定することができる。理論式によって得られた結果は,独自に設計した素子回路関節シミュレータによって得られた数値シミュレーションの結果,理論的解析とモデリングの補正を検証すると良く一致した。提案した理論式に利用可能なマイクロ波パルス幅は10ns10μsである。マイクロ波パルスの潜在的脅威を考慮して,本論文で得られたシステムレベルの研究の結果は,無線周波数受信機の設計に役立つであろう。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *マイクロ波 ,  シミュレーション ,  *パルス ,  *パルス幅 ,  シミュレータ ,  *PINダイオード ,  受信機 ,  *バーンアウト ,  モデリング
準シソーラス用語： 無線周波数 ,  数値シミュレーション ,  理論式 ,  理論モデル ,  吸収効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 吸収効率因子 ,  バーンアウト効果 ,  PINダイオード制限増幅システム ,  パルス幅

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： PINダイオード ,  制限 ,  増幅 ,  バーンアウト ,  マイクロ波 ,  パルス幅