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J-GLOBAL ID：201702269451999792   整理番号：17A1125351

MIS-HEMT応用のためのTa_2O_5/GaNの実験的バンドアラインメント【Powered by NICT】

Experimental band alignment of Ta₂O₅/GaN for MIS-HEMT applications

著者 (12件)： Sawangsri K. (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool L69 3GJ, UK) ,  Das P. (Dept. of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Durgapur, Durgapur 713209, India) ,  Supardan S.N. (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool L69 3GJ, UK) ,  Mitrovic I.Z. (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool L69 3GJ, UK) ,  Hall S. (Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Liverpool, Liverpool L69 3GJ, UK) ,  Mahapatra R. (Dept. of Electronics and Communication Engineering, National Institute of Technology Durgapur, Durgapur 713209, India) ,  Chakraborty A.K. (Department of Physics, National Institute of Technology Durgapur, Durgapur 713209, India) ,  Treharne R. (Dept. of Physics and Stephenson Institute for Renewable Energy, University of Liverpool, Liverpool L69 7ZF, UK) ,  Gibbon J. (Dept. of Physics and Stephenson Institute for Renewable Energy, University of Liverpool, Liverpool L69 7ZF, UK) ,  Dhanak V.R. (Dept. of Physics and Stephenson Institute for Renewable Energy, University of Liverpool, Liverpool L69 7ZF, UK) ,  Durose K. (Dept. of Physics and Stephenson Institute for Renewable Energy, University of Liverpool, Liverpool L69 7ZF, UK) ,  Chalker P.R. (Department of Engineering, University of Liverpool, Liverpool L69 3GH, UK)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 178  ページ： 178-181  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ta_2O_5/GaNのバンドアラインメントを実験的に測定した。HCl洗浄はGaN表面からの酸素の除去に有効であることが分かり,高周波マグネトロンスパッタリングによりTa_2O_5膜の蒸着の前に用いた。GaNとTa_2O_5/GaN試料の厚さ,光学定数とバンドギャップを測定するために実施した可変角分光偏光解析法。Ta_2O_5/GaNの価電子バンドオフセットを,Krautの方法を用いたX線光電子分光法で測定し,0.70±0.25eVであることが分かった。結果はTa_2O_5/GaN材料系における電子よりも正孔に対する高い有効障壁の以前の理論的研究の実験的証拠を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光学定数 ,  バンドオフセット ,  塩酸 ,  バンドギャップ ,  *HEMT ,  X線光電子分光法 ,  酸素 ,  *窒化ガリウム ,  正孔 ,  価電子
準シソーラス用語： 分光偏光解析法 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  *バンドアライメント , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： GaN ,  Ta_2O_5 ,  バンドアラインメント

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： MIS ,  HEMT ,  応用 ,  GaN ,  実験 ,  バンドアラインメント