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J-GLOBAL ID：201702269628399613   整理番号：17A1458536

マグネトロンスパッタリング中のターゲット侵食プロファイルの過渡的発展:ガス圧と磁場配位への依存性【Powered by NICT】

Transient evolution of the target erosion profile during magnetron sputtering: Dependence on gas pressure and magnetic configuration

著者 (3件)： Nakano Takeo (Dept. of Materials and Life Science, Seikei University, 3-3-1, Kichijoji-Kita, Musashino, Tokyo 180-8633, Japan) ,  Saitou Yudai (Dept. of Materials and Life Science, Seikei University, 3-3-1, Kichijoji-Kita, Musashino, Tokyo 180-8633, Japan) ,  Oya Kei (Dept. of Materials and Life Science, Seikei University, 3-3-1, Kichijoji-Kita, Musashino, Tokyo 180-8633, Japan)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 326  号： PB  ページ： 436-442  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： DCマグネトロンスパッタリングにおけるターゲットの浸食プロファイル(レーストラック)の成長は中程度のターゲットパワーで実験的に研究した。銅ターゲットの不平衡マグネトロンスパッタリング(UBMS)とバランスのとれたマグネトロンスパッタリング(BMS)は,100Wの一定のDC放電電力で0.38 2~1.0PaのArガス圧で行った。目標寿命のいくつかの時間間隔で,ターゲットは,チャンバから除去された,その侵食プロフィルを高さゲージを用いて測定した。レーストラック幅は興味ある圧力依存性を持つことが分かった。より高いアルゴンガス圧は,UBMSとBMS配置の両方で広い初期トラック幅をもたらした。ターゲットのスパッタ侵食が進むにつれて,トラック幅は,より高いガス圧力(≧1.0Pa)で狭くなった。低いガス圧力では,トラック幅はほとんど変化しなかったともUBMSにおける0.38Paの場合のわずかな増加を示した。結果として,最終の幅の順序は逆転:高いガス圧力狭いトラック幅をもたらした。この挙動の原因は,プラズマシースの厚さの差と二次電子の自由行程に起因した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： プラズマさや ,  ゲージ ,  *磁場配位 ,  アルゴン ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *浸食 ,  圧力効果 ,  銅
準シソーラス用語： 二次電子 ,  トラック幅 ,  チャンバ ,  時間間隔 ,  放電電力 ,  DCマグネトロンスパッタリング ,  *ガス圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： マグネトロンスパッタリング ,  ターゲットの侵食 ,  ガス圧

分類 (2件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  プラズマ診断  (BJ02090L)

タイトルに関連する用語 (8件)： マグネトロンスパッタリング ,  ターゲット ,  侵食 ,  プロファイル ,  発展 ,  ガス圧 ,  磁場配位 ,  依存性