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J-GLOBAL ID：201702270167928368   整理番号：17A0033342

CF₄プラズマ処理したn-GaN膜の電気的ダメージ

著者 (3件)： 中野由崇 (中部大) ,  新部正人 (兵庫県大) ,  川上烈生 (徳島大)
資料名： 真空に関する連合講演会講演予稿集
巻： 57th  ページ： 129  発行年： 2016年11月29日 
JST資料番号： L1308A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *プラズマ処理 ,  プラズマエッチング ,  イオン照射 ,  *電気的性質 ,  深準位過渡分光法 ,  密度汎関数法 ,  *電子構造 ,  欠陥準位 ,  窒化物半導体 ,  損傷評価 ,  III-V半導体
準シソーラス用語： GaN ,  III-V族化合物半導体 ,  等温容量過渡分光法 ,  GGA【近似】

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (3件)： プラズマ処理 ,  GaN ,  ダメージ