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J-GLOBAL ID：201702270492949935   整理番号：17A1223582

III族原料流量変調エピタクシーにより育成したヒロックのない滑らかな表面をもつN面GaN(000-1)膜

N-face GaN(000<span style=text-decoration:overline>1</span>) films with hillock-free smooth surfaces grown by group-III-source flow-rate modulation epitaxy

著者 (3件)： LIN Chia-Hung (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  AKASAKA Tetsuya (NTT Corp., Kanagawa, JPN) ,  YAMAMOTO Hideki (NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 55  号： 4S  ページ： 04EJ01.1-04EJ01.4  発行年： 2016年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NH₃を一定供給しIII族原料の流量を連続的に変える,III族原料流量変調エピタクシー(FME)によりN面GaN(000-1)膜を育成した。低ミスカット角(~0.3°)のGaNバルク基板を使用することにより,ほぼ全試料領域(10×5mm²)にわたってヒロックのないN面GaN(000-1)表面を得た。0.39nmの二乗平均平方根粗さをもつ滑らかな表面は,ステップおよびテラス構造を示した。III族原料FMEはまた,膜中の炭素不純物を低減し,光ルミネセンススペクトルの青色および黄色の発光を弱めた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *薄膜成長 ,  *滑面 ,  *エピタクシー ,  *流量制御 ,  原料 ,  ステップ ,  表面テラス ,  炭素 ,  含有量 ,  発光 ,  *光ルミネセンス ,  化合物半導体 ,  青色光
準シソーラス用語： *エピタクシー成長 ,  ヒロック ,  炭素含有量 ,  *平滑表面 ,  黄色光

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (30件)：

• Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, Nature 441, 325 (2006).
• S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, and S. Nagahama, Jpn. J. Appl. Phys. 34, L797 (1995).
• A. G. Bhuiyan, K. Suva, K Kasashima, A. Hashimoto, A. Yamamoto, and V. Y. Davydov, Appl. Phys. Lett. 83, 4788 (2003).
• K. Cheng, M. Leys, J. Derluyn, K. Balachander, S. Degroote, M. Germain, and G. Borghs, Phys. Status Solidi C 5, 1600 (2008)
• R. Dimitrov, M. Murphy, J. Smart, W. Schaff, J. R. Shealy, L F. Eastman, O. Ambacher, and M. Stutzmann, J. Appl. Phys. 87, 3375 (2000).

タイトルに関連する用語 (7件)： III族 ,  原料 ,  流量 ,  変調 ,  エピタクシー ,  ヒロック ,  GaN