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J-GLOBAL ID：201702270704300106   整理番号：17A1346296

窒化への酸化物ベースウエハボンディングプロセスによる実用的CMUT作製【Powered by NICT】

Practical CMUT Fabrication With a Nitride-to-Oxide-Based Wafer Bonding Process

著者 (5件)： Chen Albert I. H. (Advanced Micro-/Nano-Devices Laboratory, University of Waterloo, Waterloo, ON, Canada) ,  Wong Lawrence L. P. (Advanced Micro-/Nano-Devices Laboratory, University of Waterloo, Waterloo, ON, Canada) ,  Li Zhenhao (Advanced Micro-/Nano-Devices Laboratory, University of Waterloo, Waterloo, ON, Canada) ,  Na Shuai (Advanced Micro-/Nano-Devices Laboratory, University of Waterloo, Waterloo, ON, Canada) ,  Yeow John T. W. (Advanced Micro-/Nano-Devices Laboratory, University of Waterloo, Waterloo, ON, Canada)
資料名： Journal of Microelectromechanical Systems  (Journal of Microelectromechanical Systems)
巻： 26  号： 4  ページ： 829-836  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0357A  ISSN： 1057-7157  CODEN： JMIYET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 容量性微細加工超音波変換器(CMUT)作製にウエハボンディング技術の導入は,表面マイクロマシニング技術に勝る利点,単純化された製作,より良い膜均一性,および増加した活性面積などを提供した。従来のウエハ接着CMUTプロセスはシリコン・オン・インシュレータ(SOI)ウエハを用いる振動膜層を生成した。しかし,SOIウエハの使用は,高コストにもかかわらず貧弱な膜厚均一性につながる可能性がある。さらに,付加的局所酸化(LOCOS)プロセスは,絶縁破壊電圧を改善し,寄生容量を低減するためにSOIウエハボンディングプロセスに使用すべきである。CMUT作製のための窒化酸化物接合プロセス,Parkらによって報告されたLOCOS付加プロセスとしてではなく,SOIと製造の複雑さを必要とせずに,類似した結果を達成するために設計を報告した。凹みモード動作用に設計した完全に機能的なCMUTを作製し,浸漬中心周波数は90%帯域幅をもつ4.2MHzと測定された。[2016 0210]Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 漂遊容量 ,  LOCOS ,  微細加工 ,  簡素化 ,  *窒化 ,  帯域幅 ,  超音波変換器 ,  接着 ,  *酸化物 ,  浸漬 ,  膜厚
準シソーラス用語： へこみ ,  絶縁破壊電圧 ,  *ウエハボンディング ,  *CMUT , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 音響変換器,その他の機器  (BB03060N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化 ,  酸化物 ,  CMUT ,  作製