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J-GLOBAL ID：201702271107356141   整理番号：17A1090370

EUVリソグラフィー用のラインエッジ粗さ性能目標

Line-Edge Roughness performance targets for EUV Lithography

著者 (6件)： BRUNNER Timothy A. (GLOBALFONDRIES, NY) ,  CHEN Xuemei (GLOBALFONDRIES, NY) ,  GABOR Allen (GLOBALFONDRIES, NY) ,  HIGGINS Craig (GLOBALFONDRIES, NY) ,  SUN Lei (GLOBALFONDRIES, NY) ,  MACK Chris A. (Fractilia, TX)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 10143  ページ： 101430E.1-101430E.10  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EUVパターンの粗さが如何に素子を故障させ得るかを確率的シミュレーションを用いて調べた。シミュレーションではNXE3300 EUV露光装置(波長13.5nm,開口数0.33)を模擬した。局所クリティカルディメンジョン(CD)に基づく故障基準を用いて,7nmノード論理に対応する36nmピッチによる簡単なパターン描画の収率に及ぼす不規則雑音の影響を調べた。また,ILS値の異なるEUVプロセスを調べた。様々なMSD(移動標準偏差)ステージぼけで劣化した正常EUV画像及び劣化した超鮮明「ステップ関数」画像を検討し,広範な画像対数傾斜(ILS)値にわたってエッジ粗さ応答を調べることができた。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  *表面粗さ ,  計算機シミュレーション ,  長さ ,  不規則雑音 ,  関数 ,  回路パターン形成 ,  半導体プロセス ,  均一性 ,  フォトレジスト ,  *欠陥
準シソーラス用語： *EUVリソグラフィー ,  クリティカルディメンジョン ,  ステップ関数 ,  *パターン欠陥 ,  *ラインエッジ粗さ ,  線幅粗さ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： EUVリソグラフィー ,  ラインエッジ粗さ ,  目標