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J-GLOBAL ID：201702271356151169   整理番号：17A0953326

シリコン(110)超薄膜量子井戸からの室温での強いフォトルミネセンス

Strong photoluminescence from ultrathin silicon (110) quantum wells at room temperature

著者 (8件)： ZHU Xiaodong (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  LU Jiwu (Hunan Univ., Changsha, CHN) ,  GAO Yuhan (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  YUAN Shuai (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  ZHOU Ning (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  XIE Min (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  ZHENG Zejie (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN) ,  ZHAO Yi (Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56  号： 2  ページ： 020305.1-020305.3  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiO₂/Si(110)/SiO₂量子井戸(QW)からの室温における強いフォトルミネセンス(PL)を初めて観測した。PL強度はSi(110)井戸の厚さの減少とともに増大した。さらに,上部SiO₂層を除去するとPLピークは観測できなかった。しかし,試料を数か月間大気中に放置するとSi-SiO₂界面が形成し,ルミネッセンスが回復しわずかに温度に依存した。これらの結果は,量子閉じ込め効果と界面効果の両方がSi(110)QWのルミネセンス特性に重要な役割をしていることを示唆している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  *超薄膜 ,  *量子井戸 ,  *光ルミネセンス ,  *二酸化ケイ素 ,  厚み ,  量子閉込め
準シソーラス用語： 界面効果

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (21件)：

• O. Kononchuk and B.-Y. Nguyen, Silicon-on-Insulator (SOI) Technology: Manufacture and Applications (Elsevier, Amsterdam, 2014) p. 3.
• P. Zhang, E. Tevaarwerk, B. Park, D. Savage, G. Celler, I. Knezevic, P. Evans, M. Eriksson, and M. Lagally, Nature 439, 703 (2006).
• X. Xu, H. Subbaraman, S. Chakravarty, A. Hosseini, J. Covey, Y. Yu, D. Kwong, Y. Zhang, W.-C. Lai, Y. Zou, N. Lu, and R. T. Chen, ACS Nano 8, 12265 (2014).
• K. Uchida, H. Watanabe, A. Kinoshita, J. Koga, T. Numata, and S. Takagi, IEDM Tech. Dig., 2002, p. 47.
• H. Jang, W. Lee, S. M. Won, S. Y. Ryu, D. Lee, J. B. Koo, S.-D. Ahn, C.-W. Yang, M.-H. Jo, J. H. Cho, J. A. Rogers, and J.-H. Ahn, Nano Lett. 13, 5600 (2013).

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  超薄膜 ,  量子井戸 ,  室温 ,  フォトルミネセンス