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J-GLOBAL ID：201702272080627793   整理番号：17A0214206

相補型インバータ応用のための高短絡耐能力を持つ 730V垂直SiC MOSFETの実験的実証【Powered by NICT】

Experimental demonstration of -730V vertical SiC p-MOSFET with high short circuit withstand capability for complementary inverter applications

著者 (6件)： An Junjie (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Namai Masaki (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Tanabe Mikiko (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Okamoto Dai (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Yano Hiroshi (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan) ,  Iwamuro Noriyuki (Graduate School of Pure and Applied Sciences, University of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 10.7.1-10.7.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しいpチャネル垂直4H-SiC MOSFETを初めて作製することに成功した。その破壊電圧は 730V以上であり,短絡能力である4H-SiCnチャネルMOSFETのそれより15%高かった。これは高周波相補型インバータに適用できる優れたパワーデバイスであることができた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  HF【周波数】 ,  チャネル
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  絶縁破壊電圧 ,  4H-SiC ,  *相補型インバータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (9件)： 相補型インバータ ,  応用 ,  短絡 ,  能力 ,  垂直 ,  SiC ,  MOSFET ,  実験 ,  実証