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J-GLOBAL ID：201702272191565364   整理番号：17A0885724

Schottky特性法によるGaN系トランジスタの熱輸送挙動の研究【Powered by NICT】

Study of Heat Transport Behavior in GaN-Based Transistors by Schottky Characteristics Method

著者 (7件)： Zhang Yamin (Laboratory of Semiconductor Device Reliability Physics, Beijing University of Technology, Beijing, China) ,  Feng Shiwei (Laboratory of Semiconductor Device Reliability Physics, Beijing University of Technology, Beijing, China) ,  Zhu Hui (Laboratory of Semiconductor Device Reliability Physics, Beijing University of Technology, Beijing, China) ,  Guo Chunsheng (Laboratory of Semiconductor Device Reliability Physics, Beijing University of Technology, Beijing, China) ,  Qiao Yanbin (Beijing Nari Smart-Chip Microelectronics Technology Company, Ltd., Beijing, China) ,  Shao Jin (Beijing Nari Smart-Chip Microelectronics Technology Company, Ltd., Beijing, China) ,  Han Xiaodong (Institute of Microstructure and Property of Advanced Materials, Beijing University of Technology, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 5  ページ： 2166-2171  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaNトランジスタの活性領域における熱輸送特性の動的挙動を実験的に調べた。過渡温度上昇,断面温度分布,および熱輸送特性は,すべてのSchottkyゲート接合電圧特性曲線法を用いて測定した。結果は三段階は過渡温度上昇および/またはSchottkyゲート電圧降下曲線で観察されたことを示した。種々の出力条件下での活性領域の異なる位置での過渡的温度上昇挙動を詳細に検討した。さらに,AlGaN/GaNトランジスタの活性領域における熱輸送遅延も研究した。結果は,熱の輸送速度は1.47m/sであることを示した。デバイスの電気特性パラメータに変化が発生する場合,これは重要な,熱輸送に関係した遅延もAlGaN/GaNトランジスタの電気的特性パラメータの変化に関連した遅延を誘導するからである。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電圧降下 ,  温度分布 ,  *窒化ガリウム ,  活性部位 ,  電圧 ,  *トランジスタ ,  特性曲線法 ,  電気的性質 ,  昇温
準シソーラス用語： 特性パラメータ ,  輸送速度 ,  動的挙動 ,  AlGaN/GaN ,  *熱輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  トランジスタ ,  熱輸送 ,  挙動 ,  研究