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J-GLOBAL ID：201702273090822374   整理番号：17A0576726

紫外線励起加工の研究(第22報) 紫外線励起下における4H-SiCウェハーの研磨特異性(その3)

著者 (3件)： 田中武司 (立命館大 総合科学技術研究機構) ,  滝沢優 (立命館大 理工) ,  畑彰宏 (立命館大 理工)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集  (精密工学会大会シンポジウム資料集)
巻： 2017  号： 春季(CD-ROM)  ページ： ROMBUNNO.G65  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0914A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 4H-SiCの表面を,XASとXPSにより定性的に分析し,4H-SiCの研磨において,どのような反応生成物が除去されるかを推考した結果,次のような結論を得た。4H-SiCはTiO₂-Cathilon水溶液に極微量溶ける。供試品を混合水溶液に浸漬すると,SiCの中に界面酸化物が生じる。混合スラリーで研磨すると,4H-SiCの表面に,酸化物,酸窒化物,窒化物が生じ,界面酸化物も生じる。28.8nmのダイヤモンド砥粒を混入した混合スラリーで研磨すると,Raで約0.5nm前後の粗さの面を試行的に得ることができる。(著者抄録)

シソーラス用語： 紫外線 ,  紫外線照射 ,  反応生成物 ,  *ウエハ【IC】 ,  *加工 ,  研磨 ,  平滑化 ,  X線吸収分光法 ,  X線光電子分光法 ,  励起 ,  炭化ケイ素

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (3件)：

• 大吉利洋,雲宝広貴,磯野吉正,田中武司:紫外線励起によるマシニングの研究(第1報)-基本原理と基礎的現象の検証,1999年度精密工学会関西支部定期学術講演会講演論文集 (1999) 31-32.
• 田中武司:光触媒とカチロンによる A5052 の研磨現象の対する一考察, 砥粒加工学会誌, 59, 7 (2015) 402-407.
• 田中武司:紫外線で励起された光触媒とCathilonによるCo-Cr-Mo合金の研磨,精密工学会誌, 82, 7 (2016) 690-696.

タイトルに関連する用語 (7件)： 紫外線 ,  励起 ,  研究 ,  4H-SiC ,  ウェハー ,  研磨 ,  特異性