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J-GLOBAL ID：201702273305486320   整理番号：17A1544927

酸化物故障解析を用いたReRAMデバイスにおけるフィラメント伝導経路の生成/破壊機構の同定【Powered by NICT】

Identification of the generation/rupture mechanism of filamentary conductive paths in ReRAM devices using oxide failure analysis

著者 (5件)： Rodriguez-Fernandez A. (Departament d’Enginyeria Electronica, Universitat Autonoma de Barcelona, Cerdanyola del Valles, Spain) ,  Cagli C. (CEA, LETI, MINATEC Campus, Grenoble, France) ,  Perniola L. (CEA, LETI, MINATEC Campus, Grenoble, France) ,  Sune J. (Departament d’Enginyeria Electronica, Universitat Autonoma de Barcelona, Cerdanyola del Valles, Spain) ,  Miranda E. (Departament d’Enginyeria Electronica, Universitat Autonoma de Barcelona, Cerdanyola del Valles, Spain)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 76-77  ページ： 178-183  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO_2~ベースReRAMデバイスにおけるフィラメント伝導経路の生成と破壊を駆動する促進法を同定する目的で結合した定数(CVS)および傾斜(RVS)電圧ストレスデータ。SETとRESET事象統計を比較し,酸化物故障解析で考慮した頻繁に異なる劣化モデルの妥当性を決定するために,加速係数積分(AFI)法は,RVSとC VSの間の等価性を見つけるのに使用される電圧べき乗則,Eモデルと1/Eモデル。得られた結果は,Eと局所電場,EモデルはSETおよびRESET転移だけでなく,最良の全体的一貫性の加速係数値の最も低い分散を示すことが分かった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *フィラメント ,  積分 ,  *酸化物 ,  等価性 ,  *故障解析 ,  電圧
準シソーラス用語： 局所電場 ,  べき乗則 ,  劣化モデル ,  電圧ストレス ,  *破壊機構 ,  *ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： MIM ,  抵抗変化型不揮発性メモリ ,  絶縁破壊 ,  信頼性

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 酸化物 ,  故障解析 ,  ReRAM ,  フィラメント ,  伝導 ,  経路 ,  破壊 ,  同定