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J-GLOBAL ID：201702273342522630   整理番号：17A0229882

マルチ中空放電プラズマ化学気相成長法により堆積したSiナノ粒子の量子特性

Quantum Characterization of Si Nano-Particles Fabricated by Multi-Hollow Discharge Plasma Chemical Vapor Deposition

著者 (5件)： SEO Hyunwoong (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  UCHIDA Giichiro (Osaka Univ., Ibaraki, JPN) ,  ITAGAKI Naho (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  KOGA Kazunori (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN) ,  SHIRATANI Masaharu (Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名： Science of Advanced Materials  (Science of Advanced Materials)
巻： 8  号： 3  ページ： 636-639  発行年： 2016年03月 
JST資料番号： W2374A  ISSN： 1947-2935  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,直径数ナノメートルの結晶性Siナノ粒子を作製し,その特性を解析した。多中空放電プラズマ化学気相成長(CVD)法を用いてSiナノ粒子を形成し,形成したSiナノ粒子をガス流により下流に輸送し,ステンレスメッシュ上に集めて,メッシュを超音波処理することにより,Siナノ粒子を得た。透過型電子顕微鏡により,作製したSiナノ粒子の構造的特性を調べてSiナノ粒子のサイズ分布を計算し,レーザラマン分光法を用いてナノ粒子の構造を分析した。Siナノ粒子の量子特性評価のために,Al/Si量子ドット(QDs)/透明導電性酸化物構造のSchottkyセルを準備した。250から1100nmの波長範囲に亘る電流変換効率を測定することにより,作製したセルの量子効率を評価した。著者等は,作製したセルが,入射光子エネルギーに対して100%以上の量子効率を達成したことを示し,Si QDsによる多重励起子生成を実証した。

シソーラス用語： *ホロー陰極放電 ,  *プラズマ ,  *化学蒸着 ,  *ケイ素 ,  *ナノ粒子 ,  *量子ドット ,  透過型電子顕微鏡 ,  構造特性 ,  粒度分布 ,  Raman分光法 ,  半導体金属接合 ,  効率 ,  量子効率 ,  励起子
準シソーラス用語： 中空陰極放電 ,  *化学気相成長法 ,  Si ,  構造的特性 ,  粒子サイズ分布 ,  Raman分光 ,  Schottky接合 ,  光電変換効率 ,  多重励起子

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (8件)： マルチ ,  中空 ,  放電 ,  プラズマ化学気相成長法 ,  堆積 ,  Si ,  ナノ粒子 ,  量子