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J-GLOBAL ID：201702273529705124   整理番号：17A0994364

Al_2O_3/WO_xベースCBRAM素子の性能に及ぼすタングステン酸化条件の影響【Powered by NICT】

Impact of tungsten oxidation conditions on the performance of Al₂O₃/WO_x-based CBRAM devices

著者 (9件)： Chen Z. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Chen Z. (Institute of Microelectronics, Peking University, 100871 Beijing, China) ,  Belmonte A. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Chen C.Y. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Radhakrishnan J. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Redolfi A. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Kang J. (Institute of Microelectronics, Peking University, 100871 Beijing, China) ,  Goux L. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium) ,  Kar G.S. (IMEC, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 179  ページ： 56-59  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,Cu/Al_2O_3/WO_xベースCBRAMデバイスの電気的性能に及ぼす異なるW酸化条件の影響を評価した。三種々の酸化条件の試料について実施したHR-TEMキャラクタリゼーションはWO_xは酸化温度範囲で結晶相であることを明らかにしたが,より高い酸化温度で,緻密で厚い酸化物をもたらした。DCおよびAC電気的キャラクタリゼーションを行うことにより,著者らはW酸化条件の注意深い工学はこれらのデバイスの性能を高めることを可能にすることを示した。特に,密度と厚さの間のトレードオフは,記憶窓を拡大し,短い(10ns)パルスによる耐久寿命を拡張するために追求されなければならないことを証明した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *タングステン酸 ,  *酸化 ,  酸化物 ,  キャラクタリゼーション ,  パルス
準シソーラス用語： 結晶相 ,  温度範囲 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CBRAM ,  CF ,  Al_2O_3/WO_x ,  耐久性

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： CBRAM ,  タングステン ,  酸化