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J-GLOBAL ID：201702273789640079   整理番号：17A1444958

Benzobisthiadiazoleに基づくn-チャンネル有機トランジスタのためのD A_1D A_2骨格戦略:電子欠乏性高分子における分子充填および電荷輸送特性に及ぼすセレン置換効果を明らかにする【Powered by NICT】

D-A₁-D-A₂ Backbone Strategy for Benzobisthiadiazole Based n-Channel Organic Transistors: Clarifying the Selenium-Substitution Effect on the Molecular Packing and Charge Transport Properties in Electron-Deficient Polymers

著者 (5件)： Wang Yang (Department of Materials Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo, 152-8552, Japan) ,  Hasegawa Tsukasa (Department of Materials Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo, 152-8552, Japan) ,  Matsumoto Hidetoshi (Department of Materials Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo, 152-8552, Japan) ,  Mori Takehiko (Department of Materials Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo, 152-8552, Japan) ,  Michinobu Tsuyoshi (Department of Materials Science and Engineering, Tokyo Institute of Technology, 2-12-1 Ookayama, Meguro-ku, Tokyo, 152-8552, Japan)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 27  号： 33  ページ： ROMBUNNO.201701486  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ベンゾビスチアジアゾール(BBT)単位とそのヘテロ原子置換誘導体に基づく単極n-型半導体重合体はD A_1D A_2高分子骨格設計戦略によって最初に合成した。セレン(Se)置換は非常に有効な分子設計であるが,n型高分子における研究ほとんどされてきた。本研究では,類似した共役フレームワーク内の,光学的,電気化学的,固体高分子充填,電子移動度,及び標的単極性n型重合体の空気中安定性に及ぼすSe置換効果が明らかになった。Se原子とチアジアゾール複素環化合物中の硫黄(S)原子を置換狭いバンドギャップとn型高分子のより深い最低非占有分子軌道(LUMO)レベルをもたらした。さらに,Se-置換ポリマ(pSeN NDI)は,そのS(pSN NDI)より短いラメラ充填距離と強いエッジオンπ-π積層相互作用を示し,二次元すれすれ入射広角X線散乱(GIWAXS)パターンで観察された。トランジスタに適したより深いLUMOレベルと薄膜微細構造により,pSeN NDIはpSN NDIより4倍高い電子移動度(μ_e)を示した。しかし,他のSe含有高分子,pSeS NDI,は非晶質膜構造,熱アニーリングプロセス中のその限定された熱安定性と分解で生じ,そのS(pBBT NDI)よりも低いμ_eを生じさせるであるも形成する。最も重要なことは,pBBT NDIは電子移動度0.039cm~2V~ 1s~ 1で,BBTおよびその類似体に基づく単極性n型高分子間の顕著なを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *高分子 ,  熱安定性 ,  微細構造 ,  LUMO ,  分子設計 ,  *分子充填 ,  共役 ,  *トランジスタ ,  バンドギャップ ,  半導体 ,  *セレン ,  薄膜
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  *置換効果 ,  *電荷輸送 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： アクセプタ-アクセプタ戦略 ,  電子欠乏重合体 ,  有機トランジスタ ,  セレン置換

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (12件)： チャンネル ,  有機トランジスタ ,  骨格 ,  戦略 ,  電子 ,  欠乏 ,  高分子 ,  分子充填 ,  電荷 ,  輸送特性 ,  セレン ,  置換効果