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J-GLOBAL ID：201702273916312566   整理番号：17A0964613

大信号駆動下でのXパラメータ測定を用いたアバランシェ領域におけるSiGeH BTの時間領域遺伝子座の研究【Powered by NICT】

Investigation of Time-Domain Locus of SiGe HBTs in the Avalanche Region by Using the X-Parameter Measurement Under Large-Signal Drive

著者 (3件)： Lee Chie-In (Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Lin Yan-Ting (Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan) ,  Lin Wei-Cheng (Department of Electrical Engineering, National Sun Yat-sen University, Kaohsiung, Taiwan)
資料名： IEEE Microwave and Wireless Components Letters  (IEEE Microwave and Wireless Components Letters)
巻： 27  号： 5  ページ： 464-466  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0099A  ISSN： 1531-1309  CODEN： IMWCBJ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Xパラメータ測定に基づく時間領域遺伝子座特性に及ぼすけい素ゲルマニウム(SiGe)ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(H BT)の高周波アバランシェ効果を初めてデッドスペース理論の概念を適用して示し,解析した。SiGeH BTの測定Xパラメータを用いて,衝突イオン化領域における大信号駆動下での時間領域波形を得ることである。活性領域における正の勾配と比較した場合,アバランシェ領域で動作するSiGeH BTの入力遺伝子座は負の勾配を示した。破壊で移動遺伝子座の回転方向も調べた。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 衝突イオン化 ,  HF【周波数】 ,  活性部位 ,  *HBT【トランジスタ】
準シソーラス用語： デッドスペース ,  *シリコンゲルマニウム ,  *時間領域 ,  *大信号 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  信号理論  (ND02020G)

タイトルに関連する用語 (5件)： パラメータ ,  BT ,  時間領域 ,  遺伝子座 ,  研究