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J-GLOBAL ID：201702274357472488   整理番号：17A0445456

純水素で発生した散漫コプレーナ表面障壁放電を用いた二酸化けい素の大気圧プラズマエッチング【Powered by NICT】

Atmospheric pressure plasma etching of silicon dioxide using diffuse coplanar surface barrier discharge generated in pure hydrogen

著者 (5件)： Krumpolec Richard (R&D Centre for Low-Cost Plasma and Nanotechnology Surface Modifications (CEPLANT), Department of Physical Electronics, Faculty of Science, Masaryk University, Kotlarska 267/2, 611 37 Brno, Czech Republic) ,  Cech Jan (R&D Centre for Low-Cost Plasma and Nanotechnology Surface Modifications (CEPLANT), Department of Physical Electronics, Faculty of Science, Masaryk University, Kotlarska 267/2, 611 37 Brno, Czech Republic) ,  Jurmanova Jana (R&D Centre for Low-Cost Plasma and Nanotechnology Surface Modifications (CEPLANT), Department of Physical Electronics, Faculty of Science, Masaryk University, Kotlarska 267/2, 611 37 Brno, Czech Republic) ,  Durina Pavol (Department of Experimental Physics, Faculty of Mathematics, Physics and Informatics, Comenius University, Mlynska dolina, 842 48 Bratislava, Slovakia) ,  Cernak Mirko (R&D Centre for Low-Cost Plasma and Nanotechnology Surface Modifications (CEPLANT), Department of Physical Electronics, Faculty of Science, Masaryk University, Kotlarska 267/2, 611 37 Brno, Czech Republic)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 309  ページ： 301-308  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 拡散コプレーナ表面障壁放電(DCSBD)を用いて純水素中で大気圧での低温プラズマ処理による二酸化けい素(SiO_2)層のドライエッチング法について報告した。SiO_2エッチング速度は約1nm/minと推定された。研究したプラズマプロセスは,プラズマ誘起還元とエッチングの組成であることが分かった。エッチングした試料の表面形態の変化を走査型電子顕微鏡で観察した。X線光電子分光分析は,還元過程に起因する表面化学変化を同定するために適用した。プラズマ処理の二つの領域を検討した。,処理表面はプラズマ源に比べて移動したが,動的治療は,均一過程をもたらしたが,静的条件での処理はプラズマ源の電極構造を反映した試料の表面上のストライプ型パターンをもたらした。結果は,大気圧での乾燥プラズマプロセスにおけるクリーン,天然酸化物を含まないケイ素表面を調製するための新しい簡単な方法の基礎を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *プラズマ ,  *二酸化ケイ素 ,  X線光電子分光法 ,  *エッチング ,  *プラズマエッチング ,  *水素 ,  プラズマ源 ,  プラズマ処理 ,  *無声放電 ,  ケイ素 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： 電極構造 ,  表面形態 ,  エッチング速度 ,  低温プラズマ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： DCSBD ,  水素プラズマ ,  低温度 ,  SiO_2エッチング ,  大気圧

分類 (1件)： プラズマ装置  (BJ02082I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 水素 ,  障壁放電 ,  二酸化けい素 ,  大気圧プラズマ ,  エッチング