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J-GLOBAL ID：201702275047785299   整理番号：17A1181751

寄生抵抗とその変動に及ぼすFinFETにおける拡張イオン注入により生じた残留欠陥の影響【Powered by NICT】

Impact of residual defects caused by extension ion implantation in FinFETs on parasitic resistance and its fluctuation

著者 (9件)： Matsukawa Takashi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Liu Yongxun (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Mori Takahiro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Morita Yukinori (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Otsuka Shintaro (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  O’uchi Shin-ichi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Fuketa Hiroshi (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Migita Shinji (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan) ,  Masahara Meishoku (National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 132  ページ： 103-108  発行年： 2017年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 寄生抵抗とその変動に対する拡張ドーピングの影響はFinFETに対して研究した。ドープしたフィン構造のFinFETと結晶欠陥評価の電気的特性評価はイオン注入,すなわち,AsとPの異なるフィン厚さと異なるドナー種に対して行った。フィン厚さと大きな質量ドナー種の使用を低減することは寄生抵抗の変動性と中央値の深刻な劣化を引き起こす。透過型電子顕微鏡による結晶性評価はより大きい質量でより小さいフィン厚さと注入されたドーパントの場合のドーパント活性化アニーリング後に残る顕著な結晶欠陥が明らかにした。回復されていない欠陥は,寄生抵抗とその変動の深刻な劣化を引き起こす。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 中央値 ,  焼なまし ,  電気的性質 ,  透過型電子顕微鏡 ,  ドーピング ,  ヒ素 ,  結晶度 ,  フィン ,  ドナー ,  *イオン注入 ,  ドーパント ,  格子欠陥
準シソーラス用語： *FinFET ,  *寄生抵抗 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： FinFET ,  イオン注入 ,  寄生抵抗 ,  Variability ,  結晶欠陥

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 寄生抵抗 ,  FinFET ,  拡張 ,  イオン注入 ,  残留 ,  欠陥