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J-GLOBAL ID：201702275193566768   整理番号：17A1786588

化学蒸着によって調製されたミリメートルの単結晶グラフェンの成長条件の制御に関する研究を行った。【JST・京大機械翻訳】

Controlling the growth conditions to prepare millimeter size single crystal graphene by chemical vapor deposition

著者 (4件)： Zhou Guoqing (中国科学院大学,北京100049;中国科学院強磁場科学中心,合肥230031) ,  Hu Lin (中国科学院強磁場科学中心,合肥,230031) ,  Wei Lingzhi (中国科学院強磁場科学中心,合肥,230031) ,  Zhang Fapei (中国科学院強磁場科学中心,合肥,230031)
資料名： Gongneng Cailiao  (Gongneng Cailiao)
巻： 48  号： 4  ページ： 4110-4115  発行年： 2017年 
JST資料番号： C2095A  ISSN： 1001-9731  CODEN： GOCAEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： グラフェンの核形成と成長動力学過程の制御は単結晶グラフェンの調製に重要な影響を与える。低圧化学蒸着(CVD)法を用いて、成長条件パラメータを最適化することにより、銅箔上に約4mmの大きさの単結晶グラフェンを成長させた。一連の形態と構造のキャラクタリゼーションにより、サンプルは高品質の単結晶単結晶グラフェンであることが証明された。同時に,CVDによって成長したサブミリメートル級,A-B積層の多層単結晶グラフェンドメイン,および単結晶グラフェンの共生によって形成された積層構造が観察された。さらに,3種類の銅箔基板を用いてグラフェンを成長させることにより,銅箔の特性,例えばグラフェンの核形成密度と単結晶グラフェンの形態に対して重要な影響があり,異なるタイプの銅箔の結晶面の優先配向はCVD成長前後で異なる変化が観察された。最後に、成長した大規模単結晶グラフェンを用いて電界効果トランジスタを作製し、高いキャリア移動度を実現した。Data from Wanfang. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： LPCVD ,  キャラクタリゼーション ,  優先配向 ,  核形成 ,  *単結晶 ,  *グラフェン ,  FET【トランジスタ】 ,  積層構造 ,  結晶面 ,  最適化 ,  *化学蒸着 ,  キャリア移動度 ,  多層 ,  銅箔
準シソーラス用語： 高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： single crystal graphene ,  chemical vapor deposition ,  nucleation density ,  copper substrates ,  field effect transistors

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 化学蒸着 ,  調製 ,  単結晶 ,  グラフェン ,  成長条件 ,  研究