ホットエレクトロンによる動的MOSFETの劣化のコンパクトモデリング【Powered by NICT】

Tanoue H.; Tanaka A.; Oodate Y.; Nakahagi T.; Sugiyama D.; Ma C.; Mattausch H. J.; Miura-Mattausch M.

文献

J-GLOBAL ID：201702275287881525 整理番号：17A0826639

ホットエレクトロンによる動的MOSFETの劣化のコンパクトモデリング【Powered by NICT】

Compact Modeling of Dynamic MOSFET Degradation Due to Hot-Electrons

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資料名：
巻： 17 号： 1 ページ： 52-58 発行年： 2017年
JST資料番号： W1320A ISSN： 1530-4388 CODEN： ITDMA2 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ホットエレクトロンに起因する動的金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの劣化のトラップ密度ベースコンパクトモデルを報告し,モデルパラメータを測定した1/f雑音特性から抽出された。深トラップ状態増加は分解のために支配的であり,長い加速された応力期間下でその最大値を近づくことが観察された。重要なモデリング概念をPoisson方程式の抽出した応力状態依存トラップ密度の明確な包接,反復的に解かれる。開発したモデルは,より長いシミュレーション時間の欠点なしに,すなわち,ストレス適用中におけるトラップ密度の増加,測定したI-V特性の実際の動的分解を正確に予測した。報告されたモデルはしきい値電圧シフトだけでなく,完全なI V特性の劣化とキャリア捕獲に起因する他の全ての観察可能な影響を再現し,これらの効果の各々に適した付加的モデルパラメータなしに可能にしている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

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トランジスタ , 固体デバイス計測・試験・信頼性

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