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J-GLOBAL ID：201702275318996780   整理番号：17A1825183

MoS_2単分子層上での水素発生反応のためのを明らかにする活性部位【Powered by NICT】

Unveiling Active Sites for the Hydrogen Evolution Reaction on Monolayer MoS₂

著者 (10件)： Zhang Jing (Department of Materials Science and NanoEngineering, Rice University, Houston, TX, 77005, USA) ,  Wu Jingjie (Department of Materials Science and NanoEngineering, Rice University, Houston, TX, 77005, USA) ,  Guo Hua (Department of Materials Science and NanoEngineering, Rice University, Houston, TX, 77005, USA) ,  Chen Weibing (Department of Materials Science and NanoEngineering, Rice University, Houston, TX, 77005, USA) ,  Yuan Jiangtan (Department of Materials Science and NanoEngineering, Rice University, Houston, TX, 77005, USA) ,  Martinez Ulises (MPA-11, Los Alamos National Laboratory, Los Alamos, NM, 87544, USA) ,  Gupta Gautam (MPA-11, Los Alamos National Laboratory, Los Alamos, NM, 87544, USA) ,  Mohite Aditya (MPA-11, Los Alamos National Laboratory, Los Alamos, NM, 87544, USA) ,  Ajayan Pulickel M. (Department of Materials Science and NanoEngineering, Rice University, Houston, TX, 77005, USA) ,  Lou Jun (Department of Materials Science and NanoEngineering, Rice University, Houston, TX, 77005, USA)
資料名： Advanced Materials  (Advanced Materials)
巻： 29  号： 42  ページ： ROMBUNNO.201701955  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0001A  ISSN： 0935-9648  CODEN： ADVMEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,化学蒸着(CVD)により合成された単分子層二硫化モリブデン(MoS_2)の端と基底面サイトでの水素発生反応(HER)活性は,制限視野リソグラフィーにより可能となった局所プローブ法を用いて研究した。反応窓は,ポリ(メタクリル酸メチル)(PMMA)被覆単分子層MoS_2三角形上の関心部位での電子ビームリソグラフィーによって開放される。MoS_2エッジサイトのHER特性は基底面とエッジの両方部位を含む結果から基底面サイトの活性の引き算により得られた。ターンオーバー数(TOF)に関して触媒性能を選択された領域上の活性部位の推定数に基づいて計算した。TOFは3.8±1.6で,1.6±1.2,0.008±0.002,及び1.9±0.8×10~ 4秒~ 1の順,1t′-2H MoS_2エッジ,および1t′-2H MoS_2基底面のを追跡であった。2Hおよび1t’-MoS_2のエッジ部位は白金(≒1 10 s~ 1)に匹敵する活性を持つことを証明した。HER火山プロットに当てはめた場合,MoS_2活性部位は通常の金属とは異なる傾向を示し,遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)と金属触媒間の反応機構における可能な差を示唆した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 金属 ,  ターンオーバー数 ,  プローブ ,  化学蒸着 ,  リソグラフィー ,  *活性部位 ,  金属触媒 ,  反応機構 ,  *水素発生反応 ,  火山 ,  電子ビームリソグラフィー ,  触媒活性 ,  *単分子層
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 2Hと1T’相 ,  基底面とエッジ活性部位 ,  電子ビームリソグラフィー ,  水素発生反応 ,  MoS2

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  気体燃料の製造  (YE02030F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単分子層 ,  水素発生反応 ,  活性部位