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J-GLOBAL ID：201702275673018361   整理番号：17A0151815

UVナノインプリントリソグラフィーにおける液滴径,液滴配置,ガス溶解がスループットおよび欠陥率に及ぼす影響

Effect of droplet size, droplet placement, and gas dissolution on throughput and defect rate in UV nanoimprint lithography

著者 (3件)： Jain Akhilesh (McKetta Department of Chemical Engineering, The University of Texas at Austin, 200 E. Dean Keeton St. Stop C0400, Austin, Texas 78712-1589) ,  Spann Andrew (McKetta Department of Chemical Engineering, The University of Texas at Austin, 200 E. Dean Keeton St. Stop C0400, Austin, Texas 78712-1589) ,  Bonnecaze Roger T. (McKetta Department of Chemical Engineering, The University of Texas at Austin, 200 E. Dean Keeton St. Stop C0400, Austin, Texas 78712-1589)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 1  ページ： 011602-011602-12  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 液滴サイズ,液滴配置,液滴配置誤差,及びガス拡散が充填時間および欠陥に及ぼす影響を研究するために,紫外線ナノインプリントリソグラフィーにおける多重液滴拡散のシミュレーションを行った。最短インプリント時間の最適な配置を決定するために,基板上にインクジェット噴射された最大1024個の液滴の正方形,六角形,および修正六角形の配置に対してシミュレーションを行った。また,異なる液滴径に対して,インプリント時間に対するインクジェットディスペンサによる液滴配置の誤差の影響を調べた。正方形の液滴配置は,平坦なテンプレートの液体充填時間を最短にした。充填時間は,基材の幅に対して0.01%を超える液滴配置誤差のために著しく増加した。液滴間に封入したガスのレジストへの拡散を研究するモデルを示した。無次元パラメータα≒μD/k_HγH_oは流体力学に対するガス拡散の相対的寄与を測定する:ここで,Dはガス拡散定数,k_HはHenry定数,μはレジスト粘度,γはインプリントレジストの表面張力である。α値が小さい場合,ガス拡散はレジスト拡散よりも遅く,欠陥サイズは拡散制御されるが,α値が大きいと,ガス拡散はレジスト拡散よりも速く,欠陥サイズは流体力学的に制御される。充填時間,残留層厚,および欠陥を数百~数千液滴から数万~数十万液滴に外挿するためのスケーリング法を開発した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リソグラフィー ,  *液滴径 ,  *スループット ,  液滴 ,  溶解度 ,  欠陥 ,  計算機シミュレーション ,  噴流 ,  レジスト ,  Henry定数 ,  スケール則 ,  ガス拡散法
準シソーラス用語： *UVナノインプリントリソグラフィー ,  インクジェット ,  ガス溶解度 ,  ガス拡散

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： UVナノインプリントリソグラフィー ,  液滴径 ,  液滴 ,  ガス溶解 ,  スループット ,  欠陥