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J-GLOBAL ID:201702276517023194   整理番号:17A1544905

DDR2SDRAMの列ハンマーパターン解析【Powered by NICT】

A row hammer pattern analysis of DDR2 SDRAM
著者 (3件):
資料名:
巻: 76-77  ページ: 64-67  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0530A  ISSN: 0026-2714  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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HILEVEL技術からGriffin III自動試験システムに実装DDR2SDRAM試験装置はハンマーバグを解析した。列ハンマーパターン実験は標準保持試験と比較した。解析はハンマー効果はストレス活性化サイクルの数に依存して電荷励起過程に起因することを確認した。応力は試験下の細胞の局所近傍で発生する。浅い不純物準位を用いて,DDR2SDRAM技術の関与する電荷キャリア輸送過程を支持した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  半導体集積回路 
タイトルに関連する用語 (2件):
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