Doria Rodrigo Trevisoli について
Department of Electrical Engineering, Centro Universitario FEI, Av. Humberto de Alencar Castelo Branco, 3972, CEP 09850-901 Sao Bernardo do Campo, Brazil について
Trevisoli Renan について
Department of Electrical Engineering, Centro Universitario FEI, Av. Humberto de Alencar Castelo Branco, 3972, CEP 09850-901 Sao Bernardo do Campo, Brazil について
de Souza Michelly について
Department of Electrical Engineering, Centro Universitario FEI, Av. Humberto de Alencar Castelo Branco, 3972, CEP 09850-901 Sao Bernardo do Campo, Brazil について
Barraud Sylvain について
LETI, Commissariat a l’Energie Atomique et aux Energies Alternatives, 68B Avenue des Martyrs, 38000 Grenoble, France について
Vinet Maud について
LETI, Commissariat a l’Energie Atomique et aux Energies Alternatives, 68B Avenue des Martyrs, 38000 Grenoble, France について
Faynot Olivier について
LETI, Commissariat a l’Energie Atomique et aux Energies Alternatives, 68B Avenue des Martyrs, 38000 Grenoble, France について
Pavanello Marcelo Antonio について
Department of Electrical Engineering, Centro Universitario FEI, Av. Humberto de Alencar Castelo Branco, 3972, CEP 09850-901 Sao Bernardo do Campo, Brazil について
Microelectronic Engineering について
線形性 について
低周波雑音 について
ドーピング について
バイアス について
表面電位 について
活性化エネルギー について
界面 について
閾値電圧 について
トラップ密度 について
雑音スペクトル について
ドレイン電流 について
チャネル長 について
基板バイアス について
捕獲電荷 について
ナノワイヤトランジスタ について
無接合ナノワイヤトランジスタ について
低周波雑音 について
有効トラップ密度 について
基板バイアス について
トランジスタ について
低周波 について
雑音特性 について
ナノワイヤトランジスタ について
界面 について
捕獲電荷 について
基板バイアス効果 について
解析 について