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J-GLOBAL ID：201702277165818377   整理番号：17A1125315

低周波雑音特性による無接合ナノワイヤトランジスタにおける界面捕獲電荷に及ぼす基板バイアス効果の解析【Powered by NICT】

Analysis of the substrate bias effect on the interface trapped charges in junctionless nanowire transistors through low-frequency noise characterization

著者 (7件)： Doria Rodrigo Trevisoli (Department of Electrical Engineering, Centro Universitario FEI, Av. Humberto de Alencar Castelo Branco, 3972, CEP 09850-901 Sao Bernardo do Campo, Brazil) ,  Trevisoli Renan (Department of Electrical Engineering, Centro Universitario FEI, Av. Humberto de Alencar Castelo Branco, 3972, CEP 09850-901 Sao Bernardo do Campo, Brazil) ,  de Souza Michelly (Department of Electrical Engineering, Centro Universitario FEI, Av. Humberto de Alencar Castelo Branco, 3972, CEP 09850-901 Sao Bernardo do Campo, Brazil) ,  Barraud Sylvain (LETI, Commissariat a l’Energie Atomique et aux Energies Alternatives, 68B Avenue des Martyrs, 38000 Grenoble, France) ,  Vinet Maud (LETI, Commissariat a l’Energie Atomique et aux Energies Alternatives, 68B Avenue des Martyrs, 38000 Grenoble, France) ,  Faynot Olivier (LETI, Commissariat a l’Energie Atomique et aux Energies Alternatives, 68B Avenue des Martyrs, 38000 Grenoble, France) ,  Pavanello Marcelo Antonio (Department of Electrical Engineering, Centro Universitario FEI, Av. Humberto de Alencar Castelo Branco, 3972, CEP 09850-901 Sao Bernardo do Campo, Brazil)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 178  ページ： 17-20  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,初めて,低周波雑音の実験的解析と基板バイアスに無接合ナノワイヤトランジスタ(JNT)の効果的なトラップ密度依存性を示した。研究は,種々のチャネル長とドーピング濃度しきい値に近く,線形領域における深いバイアスをもつ素子に関して行った。JNTの表面電位は,しきい値以上でも基板バイアスによって影響されることを示した。,ドレイン電流雑音スペクトル密度と有効トラップ密度は,デバイスの基板に印加したバイアスの依存性を改善あるいは分解することができた。さらに,基板バイアスの変化は,異なる活性化エネルギー範囲,基板バイアスに高いしきい値電圧感度のために重くドープしたデバイスでより明白とトラップの評価を可能にすることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 線形性 ,  *低周波雑音 ,  ドーピング ,  *バイアス ,  表面電位 ,  活性化エネルギー ,  *界面
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  トラップ密度 ,  雑音スペクトル ,  ドレイン電流 ,  チャネル長 ,  *基板バイアス ,  *捕獲電荷 ,  *ナノワイヤトランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 無接合ナノワイヤトランジスタ ,  低周波雑音 ,  有効トラップ密度 ,  基板バイアス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 低周波 ,  雑音特性 ,  ナノワイヤトランジスタ ,  界面 ,  捕獲電荷 ,  基板バイアス効果 ,  解析