Zhang Wenqi について
Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, Kaohsiung 811, Taiwan, ROC について
Wang Tzuo-Li について
Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung 824, Taiwan, ROC について
Huang Yan-Hua について
Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung 824, Taiwan, ROC について
Cheng Tsu-Ting について
Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, Kaohsiung 811, Taiwan, ROC について
Chen Shih-Yao について
Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, Kaohsiung 811, Taiwan, ROC について
Li Yi-Ying について
Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung 824, Taiwan, ROC について
Hsu Chun-Hsiang について
Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung 824, Taiwan, ROC について
Lai Chih-Jui について
Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung 824, Taiwan, ROC について
Yeh Wen-Kuan について
Department of Electrical Engineering, National University of Kaohsiung, Kaohsiung 811, Taiwan, ROC について
Yeh Wen-Kuan について
National Nano Device Laboratories (NDL), National Applied Research Laboratories, Hsinchu 300, Taiwan, ROC について
Yang Yi-Lin について
Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung 824, Taiwan, ROC について
Microelectronics Reliability について
信頼性 について
ホットキャリア について
フィン について
電場 について
チャネル について
相互コンダクタンス について
電荷密度 について
性能劣化 について
サブ閾値 について
閾値電圧 について
FinFET について
ホットキャリア注入 について
FinFET について
マルチフィン構造 について
結合効果 について
トランジスタ について
バルク について
FinFET について
キャリア注入 について
ストレス について
誘起 について
フィン について