文献

J-GLOBAL ID：201702277725491310   整理番号：17A0539991

ZnSe_1-xO_x合金のバンドギャップの温度依存性へのバンド反交差の効果

Effects of band anticrossing on the temperature dependence of the band gap of ZnSe_1-xO_x alloys

著者 (6件)： WELNA M (Wroclaw Univ. Sci. and Technol., Wroclaw, POL) ,  WELNA M (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  BARANOWSKI M (Wroclaw Univ. Sci. and Technol., Wroclaw, POL) ,  KUDRAWIEC R (Wroclaw Univ. Sci. and Technol., Wroclaw, POL) ,  NABETANI Y (Univ. Yamanashi, Kofu, JPN) ,  WALUKIEWICZ W (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 32  号： 1  ページ： 015005,1-6  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *酸化物 ,  *セレン化物 ,  *亜鉛化合物 ,  *バンドギャップ ,  温度依存性 ,  *バンド交差 ,  *格子不整合 ,  光反射 ,  局在準位 ,  化合物半導体 ,  フォトリフレクタンス ,  電子遷移
準シソーラス用語： 光学遷移

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 合金 ,  バンドギャップ ,  温度依存性 ,  バンド ,  交差