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J-GLOBAL ID:201702278307037995   整理番号:17A1370583

高基板温度下における反応性マグネトロンスパッタリング堆積によるタンタル酸窒化物薄膜光触媒の調製

Preparation of tantalum oxynitride thin film photocatalysts by reactive magnetron sputtering deposition under high substrate temperature
著者 (7件):
資料名:
巻: 43  号:ページ: 5123-5136  発行年: 2017年09月 
JST資料番号: A0851B  ISSN: 0922-6168  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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反応性マグネトロンスパッタリング堆積のスパッタリング条件を最適化して,1073Kの基板温度において,一段階のスパッタリングによって,タンタル酸窒化物(TaON)薄膜光触媒が調製された。TaON薄膜光触媒の最適厚さが,可視光照射下における,水酸化に対する光電流値から求められた。TaON薄膜の光電気化学活性は,薄膜堆積後のNH3気流中での熱処理とIrO2ナノコロイドの担持によって増幅された。IrO2を担持した,最適TaON薄膜光触媒は,可視光照射下のメタノール水溶液からのH2発生が確認された。
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
電気化学反応  ,  塩  ,  半導体薄膜 

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