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J-GLOBAL ID：201702279621118678   整理番号：17A0381552

超高アスペクト比と厚い深いシリコンエッチング(UDRIE)【Powered by NICT】

Ultra high aspect-ratio and thick deep silicon etching (UDRIE)

著者 (3件)： Tang Yemin (Center for Wireless Integrated MicroSensing and Systems (WIMS), University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA) ,  Sandoughsaz Amin (Center for Wireless Integrated MicroSensing and Systems (WIMS), University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA) ,  Najafi Khalil (Center for Wireless Integrated MicroSensing and Systems (WIMS), University of Michigan, Ann Arbor, MI, USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MEMS  ページ： 700-703  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 広範囲特徴サイズとパターンの高アスペクト比でまっすぐな側壁を有する厚い(>500μm)シリコンウエハにおける超深部構造をエッチングのために特に開発した先進のディープ反応性イオンエッチング(DRIE)プロセスを報告した。これはエッチング期間を通して重要なプロセスパラメータを傾斜させることにより達成した。20~40μmの小さい幅を持つ600~800μm深いトレンチした1mm厚シリコンウエハ中でエッチされた,厚いほど,及び/又は高い選択性マスキング材料1mmウエハによるエッチングが期待されている。25μmと小さい孔径,10~15μm直径孔を持つ潜在的に深い穴>500μmを作製した。ウルトラディープシリコンエッチングプロセスを高分解能深部DRIEを要求するマイクロメータとミリメートルスケールでのIC統合および創発的MEMS応用の両方に利益を与えるであろう。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： マイクロメータ ,  RIE【エッチング】 ,  マスキング ,  MEMS ,  *エッチング ,  高分解能 ,  プロセスパラメータ ,  深部 ,  深部構造
準シソーラス用語： トレンチ ,  シリコンウエハ ,  *高アスペクト比 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 高アスペクト比 ,  シリコンエッチング