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J-GLOBAL ID：201702279838244327   整理番号：17A0453132

窒素ドーピングを用いたアセチレン火炎中のn型半導性ダイヤモンド膜の合成【Powered by NICT】

Synthesis of n-type semiconducting diamond films in acetylene flame with nitrogen doping

著者 (3件)： Okumura Yukihiko (Department of Control Engineering, National Institute of Technology, Maizuru College, Shiroya 234, Maizuru 625-8511, Japan) ,  Kanayama Kouichi (Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Maizuru College, Japan) ,  Nishiguchi Hiroaki (Department of Control Engineering, National Institute of Technology, Maizuru College, Shiroya 234, Maizuru 625-8511, Japan)
資料名： Proceedings of the Combustion Institute  (Proceedings of the Combustion Institute)
巻： 36  号： 3  ページ： 4409-4417  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0273A  ISSN： 1540-7489  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究の目的は,窒素を添加した燃焼火炎をn型半導体を作製し,合成の最適条件を決定することである。正孔は正電荷を持ち,p型ダイヤモンド半導体は本で作製できるが,n型ダイヤモンド半導体を作製するための方法は未だかなりの結果を与えるような程度まで確立されていない。窒素原子は炭素原子,膜中のsp~3混成軌道を持つと共有結合を形成し,窒素をドープした合成ダイヤモンドは,低温度範囲(423 573K)でn型半導体の電子特性を示すことを示した,合成した膜中の炭素原子は.~3混成軌道を持っている。添加では,ダイヤモンド膜の半導体特性を評価した。真性半導体領域では,窒素をドープしたダイヤモンド膜の体積抵抗率の対数プロットは温度の低下と共にほぼ直線的に増加した。1.0%窒素をドープした合成ダイヤモンド膜の体積抵抗率は,0.5%窒素をドープした合成ダイヤモンド膜のそれよりも低いことを示した。半導体への応用のためのこれらの膜の最適合成条件は,2.55と窒素添加率1.0%以下の当量比に対応する。これらの条件下で合成は窒素のドーピングを容易にし,ダイヤモンド膜中の非晶質炭素発生を抑制する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 炭素 ,  *窒素 ,  半導体 ,  低温 ,  *半導性 ,  共有結合 ,  最適条件 ,  真性半導体 ,  *ドーピング ,  正孔
準シソーラス用語： 体積抵抗率 ,  合成ダイヤモンド ,  混成軌道 ,  ダイヤモンド半導体 ,  *ダイヤモンド膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 作製技術 ,  新しい燃焼概念 ,  ドーピング ,  半導性特性 ,  合成

分類 (1件)： 燃焼一般  (XE04010W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 窒素ドーピング ,  アセチレン ,  火炎 ,  半導性 ,  ダイヤモンド膜