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J-GLOBAL ID：201702279850669864   整理番号：17A1544981

短絡下での信頼性を制限するIGBTにおける容量効果【Powered by NICT】

Capacitive effects in IGBTs limiting their reliability under short circuit

著者 (4件)： Reigosa P.D. (Centre of Reliable Power Electronics (CORPE), Department of Energy Technology, Aalborg University, Pontoppidanstraede 111, 9220 Aalborg, Denmark) ,  Iannuzzo F. (Centre of Reliable Power Electronics (CORPE), Department of Energy Technology, Aalborg University, Pontoppidanstraede 111, 9220 Aalborg, Denmark) ,  Rahimo M. (ABB Switzerland Ltd. Semiconductors, CH-5600 Lenzburg, Switzerland) ,  Blaabjerg F. (Centre of Reliable Power Electronics (CORPE), Department of Energy Technology, Aalborg University, Pontoppidanstraede 111, 9220 Aalborg, Denmark)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 76-77  ページ： 485-489  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： IGBTの短絡振動機構を半導体デバイスシミュレーションツールを用いて本報で検討した。シミュレーションは単一IGBT細胞である外部回路寄生要素とともに振動することができることを実証するために使用されてきた3.3kV IGBTセル。研究は両回路とデバイス解析を通してここで提示し,振動はキャリア濃度と電場の間の相互作用から来るデバイス容量効果に重点を置いて理解できることを確認した。も1振動サイクル中の二次元効果を示し,ゲート静電容量はベース中に電荷分布に起因する電場の形状に従って変化することを明らかにした。時変静電容量は漂遊ゲートインダクタンス,IGBTの信頼性を制限すると共にパラメトリック振動をもたらすことを確認した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体素子 ,  電場 ,  電荷分布 ,  相互作用 ,  *信頼性 ,  二次元 ,  *IGBT ,  キャリア密度 ,  静電容量
準シソーラス用語： 寄生要素 ,  シミュレーションツール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： IGBT ,  短絡 ,  振動 ,  パラメトリック振動 ,  信頼性 ,  TCAD

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： 短絡 ,  制限 ,  IGBT