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J-GLOBAL ID：201702279881652313   整理番号：17A0861085

大電力パルススパッタリングを用いた金属膜の構造制御

Modification of Microstructure of Metal Films using High Power Pulsed Magnetron Sputtering

著者 (1件)： 中野武雄 (成蹊大学理工学部)
資料名： 表面科学  (JSSSJ)
巻： 38  号： 5  ページ： 228-233(J-STAGE)  発行年： 2017年 
JST資料番号： F0940B  ISSN： 0388-5321  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 大電力パルススパッタ(HPPMS)におけるイオン入射エネルギーの制御に「プラズマ電位を正・基板は接地電位」とする手法を2種類の実験で示した。パルスオフ期間のターゲット電位を用いたプラズマ電位の制御,3極型HPPMSによるプラズマ電位の制御である。実際に薄膜を作製したところ,粒子のイオン化が促進されたHPPMSにおいて,薄膜の構造に明確な変化が確認できた。本稿では,これまでの実験結果を示し,プラズマ電位が変化する機構について考察した。

シソーラス用語： *スパッタリング ,  電力 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *パルス波 ,  *金属薄膜 ,  *制御 ,  膜構造 ,  プラズマパラメータ ,  薄膜成長
準シソーラス用語： 大電力 ,  *高電圧パルス ,  *構造制御 ,  プラズマ電位

著者キーワード (6件)： HPPMS ,  film structure ,  plasma potential control ,  HPPMS ,  film structure ,  plasma potential control

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

引用文献 (30件)：

• 1) P.J. Kelly and R.D. Arnell: Vacuum 56, 159 (2000).
• 2) G. Bräuer, B. Szyszka, M. Vergöhl and R. Bandorf: Vacuum 84, 1354 (2010).
• 3) R. Behrisch and W. Eckstein (Eds.): “Sputtering by Particle Bombardment: Experiments and Computer Calculations from Threshold to MeV Energies” (Springer, Berlin, 2007).
• 4) D.M. Mattox: J. Vac. Sci. Technol. A 7, 1105 (1989).
• 5) S.M. Rossnagel and J.J. Cuomo: Thin Solid Films 171, 143 (1989).

タイトルに関連する用語 (5件)： 大電力 ,  パルス ,  スパッタリング ,  金属膜 ,  構造制御