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J-GLOBAL ID：201702280392490993   整理番号：17A1141412

室温表面活性化接合で作成したSi/GaAs界面の熱処理による構造変化

Structural variation of SAB-fabricated Si/GaAs interfaces by annealing

著者 (5件)： OHNO Yutaka (Tohoku Univ.) ,  YOSHIDA Hideto (Osaka Univ.) ,  TAKEDA Seiji (Osaka Univ.) ,  LIANG Jianbo (Osaka-City Univ.) ,  SHIGEKAWA Naoteru (Osaka-City Univ.)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7p-S21-20  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *室温 ,  *接合 ,  *ケイ素 ,  *ヒ化ガリウム ,  *界面 ,  *接合部 ,  *熱処理 ,  *変化 ,  構造 ,  *直列接続 ,  *太陽電池 ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： *表面活性化接合 ,  接合界面 ,  構造変化 ,  ヘテロ界面

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 室温 ,  表面活性化接合 ,  Si ,  GaAs ,  界面 ,  熱処理 ,  構造変化