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J-GLOBAL ID：201702280543575856   整理番号：17A0830535

SiC MOSFETモジュールの短絡となだれ耐久信頼性評価について【Powered by NICT】

On the short-circuit and avalanche ruggedness reliability assessment of SiC MOSFET modules

著者 (4件)： Ionita Claudiu (Aalborg University, 9000 Aalborg, Denmark) ,  Ionita Claudiu (ABB Corporate Research, Forskargraend 7, SE-721 78 Vaesteras, Sweden) ,  Nawaz Muhammad (ABB Corporate Research, Forskargraend 7, SE-721 78 Vaesteras, Sweden) ,  Ilves Kalle (ABB Corporate Research, Forskargraend 7, SE-721 78 Vaesteras, Sweden)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 71  ページ： 6-16  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,市販のSiC MOSFET電力モジュールの運転ロバスト性への洞察を提供し,短絡(SC)とアンクランプ誘導スイッチング(UIS)テスト環境。1.2 1 7kVおよび種々の電流評価と定格三種類のベンダから五種類のパワーモジュールのセットを評価した,モジュールの破壊をもたらす可能な破壊機構を検討した。モジュールのSCパルス幅は徐々に増加した破壊が起こるまで。4.0 8~2.0Jのために臨界短絡エネルギーは800Vの供給電圧と4.0μsのパルス幅で観察された。500Vの低い電源電圧では,すべてのモジュールが10.0μsまで生存した。モジュールの一つ,1.7kV定格,4μsのパルス幅で1000Vまでの電圧でSC試験を生存したが,電源電圧は1100Vに増加したとき,失敗した。破壊に先立ち,ゲート-ソース電圧降下を記録し,これは高いG-S漏れ電流と関連している。が,主な破壊メカニズムは電子なだれ破壊モードにデバイスをリードする熱暴走した。UIS試験中に,パワーモジュールの三種類のベンダから複数のサンプルは失敗した。モジュールの破壊は常にMOSFETと並列に接続した外部ダイオードによるものであった。外部ダイオードと外部ダイオードを用いた異なるベンダーから他モジュールを持たない同じベンダーからモジュールの一つは,公称試験条件下でUIS試験を生存した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *信頼性 ,  電圧降下 ,  ベンダ ,  *炭化ケイ素 ,  ロバスト性 ,  漏れ電流 ,  *MOSFET ,  ダイオード ,  スイッチング ,  電子なだれ ,  パルス幅 ,  電圧
準シソーラス用語： 電源電圧 ,  パワーモジュール ,  *信頼性評価 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： パワーデバイスの信頼性 ,  SiC MOSFET ,  SiC電力モジュール ,  短絡 ,  クランプなし誘導性スイッチング

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： SiC ,  MOSFET ,  モジュール ,  短絡 ,  なだれ ,  信頼性評価