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J-GLOBAL ID：201702280584073464   整理番号：17A1372543

二次元位相幾何学絶縁体の有機金属分子線エピタキシー:単分子膜1T′-WTe₂

Metalorganic molecular beam epitaxy growth of a two-dimensional topological insulator: monolayer 1T′-WTe₂

著者 (7件)： TERASHIMA Koki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HOTTA Takato (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TOKUDA Takuto ,  WATANABE Kenji (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  TANIGUCHI Takashi (National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN) ,  SHINOHARA Hisanori (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  KITAURA Ryo (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム講演要旨集  (Abstracts. Fullerenes-Nanotubes-Graphene General Symposium)
巻： 53rd  ページ： 151  発行年： 2017年09月13日 
JST資料番号： L1472A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： MOMBE ,  *タングステン化合物 ,  *テルル化物 ,  *半導体薄膜 ,  化合物半導体
準シソーラス用語： *テルル化タングステン ,  単分子膜

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 位相幾何学 ,  絶縁体 ,  有機金属分子線エピタキシー ,  単分子膜