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J-GLOBAL ID：201702280717330076   整理番号：17A1802771

自己組織化ZnO-NiOナノピラーシステムのエピタキシャル結晶化

Epitaxial crystallization of self-assembled ZnO-NiO nanopillar system

著者 (7件)： NAKAGAWARA Osamu (Murata Manufacturing Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  OKADA Koichi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  BOROWIAK Alexis S. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  HATTORI Azusa N. (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MURAYAMA Koji (Murata Manufacturing Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  TANAKA Nobuhiko (Murata Manufacturing Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  TANAKA Hidekazu (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 10  号： 7  ページ： 075501.1-075501.4  発行年： 2017年07月 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnOベースのヘテロ構造として三次元構造を有する自己組織化ZnO-NiOナノピラーシステムを実証した。相分離酸化物と単結晶基板の3次元エピタキシャル結合を設計することにより,SrTiO₃(111)基板上に直径20-50nmのエピタキシャルNiOピラーをZnOマトリックスに埋め込むことに成功した。形状は,膜/基板材料と薄膜成長モードとの格子整合に基づいて設計とよく一致した。導電性原子間力顕微鏡法および圧電応答力顕微鏡測定により,高度にドープされた半導体および圧電ZnOマトリックスおよび軽くドープされた半導体および非圧電NiOピラーを明示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 自己組織化 ,  チタン酸ストロンチウム ,  基板 ,  *エピタクシー ,  *ナノ構造 ,  柱 ,  化合物半導体 ,  素子構造 ,  *酸化ニッケル ,  *酸化亜鉛 ,  薄膜
準シソーラス用語： ナノピラー ,  酸化物半導体 ,  ヘテロ構造 ,  エピタキシャル膜

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (16件)：

• J. L. MacManus-Driscoll, Adv. Funct. Mater. 20, 2035 (2010).
• W. Zhang, R. Ramesh, J. L. MacManus-Driscoll, and H. Wang, MRS Bull. 40, 736 (2015).
• H. Zheng, J. Wang, S. E. Lofland, Z. Ma, L. Mohaddes-Ardabili, T. Zhao, L. Salamanca-Riba, S. R. Shinde, S. B. Ogale, F. Bai, D. Viehland, Y. Jia, D. G. Schlom, M. Wuttig, A. Roytburd, and R. Ramesh, Science 303, 661 (2004).
• J. L. MacManus-Driscoll, P. Zerrer, H. Wang, H. Yang, J. Yoon, A. Fouchet, R. Yu, M. G. Blamire, and Q. Jia, Nat. Mater. 7, 314 (2008).
• A. Chen, Z. Bi, C.-F. Tsai, J.-H. Lee, V. Su, V. Zhang, V. Jia, J. L. MacManus-Driscoll, and V. Wang, Adv. Funct. Mater. 21, 2423 (2011).

タイトルに関連する用語 (4件)： 自己組織化 ,  ナノピラー ,  エピタキシャル ,  結晶化