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J-GLOBAL ID：201702281118832247   整理番号：17A0408067

3次元Nドープ,プラズマエッチングしたグラフェン:水素発生反応のための活性金属を含まない触媒を高度に予測する【Powered by NICT】

Three-dimensional N-doped, plasma-etched graphene: Highly active metal-free catalyst for hydrogen evolution reaction

著者 (7件)： Tian Ye (College of Science, Hebei North University, Zhangjiakou 075000, Hebei, China) ,  Ye Yongfei (College of Information Science and Engineering, Hebei North University, Zhangjiakou 075000, Hebei, China) ,  Wang Xuejun (College of Science, Hebei North University, Zhangjiakou 075000, Hebei, China) ,  Peng Shuo (College of Information Science and Engineering, Hebei North University, Zhangjiakou 075000, Hebei, China) ,  Wei Zhen (College of Information Science and Engineering, Hebei North University, Zhangjiakou 075000, Hebei, China) ,  Zhang Xiao (College of Information Science and Engineering, Hebei North University, Zhangjiakou 075000, Hebei, China) ,  Liu Wuming (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China)
資料名： Applied Catalysis. A: General  (Applied Catalysis. A: General)
巻： 529  ページ： 127-133  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0691C  ISSN： 0926-860X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素発生反応(HER)に対する高活性,耐久性があり,低コスト触媒を探るクリーンエネルギー技術の鍵を握る。ヘテロ原子ドープグラフェン系材料は,最も有望な金属フリーHER触媒として出現しているが,その触媒活性はほとんど調査されていない。ここで,グラフェンとその化学/欠陥構造の巨視的アーキテクチャを設計する合理的に,高活性金属フリーHER触媒として三次元(3D),Nドープ,プラズマエッチングしたグラフェン(3DNG P)を開発した。得られた3DNG Pは自立した3D多孔質構造,高レベルのNドーピングとプラズマ誘起濃縮欠陥の利点を組み合わせて,酸性媒体中で10macm~ 2で128mVの低過電圧で優れたHER活性をもたらした。3DNG Pは広いpH範囲で良好なHER活性と安定性をdisplaid。本研究では,高いHER性能を持つグラフェン系金属を含まない触媒の設計のための新しい方法論を提供した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： クリーンエネルギー ,  *プラズマエッチング ,  *触媒 ,  過電圧 ,  触媒活性 ,  *グラフェン ,  *プラズマ ,  耐久性 ,  *三次元 ,  *水素発生反応 ,  酸性 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： 多孔構造 ,  欠陥構造 ,  *活性金属 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 水素発生反応 ,  ヘテロ原子ドーピング ,  Nドープしたグラフェン ,  3次元グラフェン ,  プラズマエッチング

分類 (2件)： その他の触媒  (CB06123Z) ,  酸化,還元  (CF02060T)

タイトルに関連する用語 (8件)： 3次元 ,  ドープ ,  プラズマエッチング ,  グラフェン ,  水素発生反応 ,  活性金属 ,  触媒 ,  予測