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J-GLOBAL ID：201702281333882456   整理番号：17A1309788

高選択性シリコンエッチングのためのScAlNエッチマスク

ScAlN etch mask for highly selective silicon etching

著者 (3件)： David Henry Michael (Sandia National Labs, MESA Fabrication Facility, P.O. Box 5800 MS 1084, Albuquerque, New Mexico 87185-1084) ,  Young Travis R. (Sandia National Labs, MESA Fabrication Facility, P.O. Box 5800 MS 1084, Albuquerque, New Mexico 87185-1084) ,  Griffin Ben (Sandia National Labs, MESA Fabrication Facility, P.O. Box 5800 MS 1084, Albuquerque, New Mexico 87185-1084)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35  号： 5  ページ： 052001-052001-6  発行年： 2017年09月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,シリコンに対する高いエッチ選択性の大幅な改善を提供するシリコンエッチマスクとして,最近開発されたScAlN膜の利用について報告した。ふっ素化学に基づく深掘り反応性イオンエッチマスクとしてScAlNを利用し,23550:1の選択比(AlNより4倍,Al₂O₃より11倍,二酸化けい素よりも148倍良い)を,高バイアス電圧でAl₂O₃またはAlNよりもはるかに少ない再スパッタリングで実現した。偏光解析膜厚測定はScAlNマスクの侵食速度は0.3nm/min以下と示した。Al₂O₃,AlNおよびScAlNエッチマスクについて,再スパッタされたAlのマイクロマスキング効果も,断面走査電子顕微鏡と共焦点顕微鏡粗さ測定を活用してここで報告している。エッチバイアスを低くすると,減少したエッチ速度はSiO₂エッチマスクに匹敵するトレンチ底表面粗さを達成するように最適化することができた。ScAlNにより可能となったエッチマスク選択性は,微小電気機械システム,ウエハレベルパッケージング,およびシリコンのプラズマダイシングにおける顕著な改善をもたらしていると考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *エッチング ,  *ケイ素 ,  *窒化アルミニウム ,  スカンジウム合金 ,  *イオンエッチング ,  マスク ,  *トレンチカット【加工】
準シソーラス用語： *選択エッチング

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高選択性 ,  シリコンエッチング ,  エッチ ,  マスク