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J-GLOBAL ID：201702281917462938   整理番号：17A0549330

NbNiシリサイドを導入した4H-SiC pMOSFETsの研究

著者 (14件)： 梶原純 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科学研) ,  黒木伸一郎 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科学研) ,  黒木伸一郎 (KTH Royal Inst. of Technol.) ,  石川誠治 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科学研) ,  石川誠治 (フェニテックセミコンダクター) ,  前田知徳 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科学研) ,  前田知徳 (フェニテックセミコンダクター) ,  瀬崎洋 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科学研) ,  瀬崎洋 (フェニテックセミコンダクター) ,  吉川公麿 (広島大 ナノデバイス・バイオ融合科学研) ,  牧野高紘 (量子科学技術研究開発機構) ,  大島武 (量子科学技術研究開発機構) ,  OESTLING Mikael (KTH Royal Inst. of Technol.) ,  ZETTERLING Carl-Mikael (KTH Royal Inst. of Technol.)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.15p-F204-17  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ化物 ,  *ニオブ合金 ,  *ニッケル合金 ,  *炭化ケイ素 ,  *MOSFET
準シソーラス用語： シリサイド ,  4H-SiC ,  pMOSFET

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリサイド ,  4H-SiC ,  研究